發(fā)布時(shí)間：2023-08-26 03:34

　　隨著集成電路產(chǎn)業(yè)近年來(lái)的高速發(fā)展,對(duì)可用于12寸晶圓的高純電子級(jí)多晶硅的需求不斷提升,但是國(guó)內(nèi)少數(shù)廠家僅能進(jìn)入中低端市場(chǎng),在高端領(lǐng)域始終被國(guó)外技術(shù)壟斷。多晶硅主流的生產(chǎn)工藝是改良西門(mén)子法,其核心工序?yàn)榛瘜W(xué)氣相沉積,配方、流場(chǎng)和溫場(chǎng)分布、硅棒溫度等因素對(duì)產(chǎn)品能物耗和質(zhì)量影響。二氯二氫硅作為輔助原料,可提高沉積速率,降低生產(chǎn)能耗和物耗。通過(guò)對(duì)原料中二氯二氫硅進(jìn)行獨(dú)立控制,研究發(fā)現(xiàn)二氯二氫硅在氣相沉積的不同時(shí)期,對(duì)于效率提升和產(chǎn)品純度的增益比例有明顯差異,在10%～13%的區(qū)間內(nèi)會(huì)形成拐點(diǎn),實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示二氯二氫硅在前期和中前期應(yīng)控制在10%,中后期降低至5%～7%,可獲得較好的結(jié)果。

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