本文關(guān)鍵詞：含TATB炸藥共晶技術(shù)的研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：為了滿足當(dāng)今高能鈍感武器、彈藥的發(fā)展要求，共晶技術(shù)，作為從分子層面改善炸藥性能的技術(shù)，是目前高能鈍感炸藥研究的新方向。用TATB制備共晶炸藥，可滿足彈藥對(duì)高性能、低感度的要求，是目前含能材料研究的熱點(diǎn)之一。TATB的難溶性是含TATB共晶炸藥合成的難點(diǎn)和關(guān)鍵點(diǎn)。本研究首先對(duì)TATB的良溶劑進(jìn)行分析及篩選，再通過(guò)理論和試驗(yàn)相結(jié)合，研究制備含TATB共晶炸藥的工藝條件，并通過(guò)多種手段對(duì)制備出的TATB/HMX共晶炸藥進(jìn)行結(jié)構(gòu)、形貌和性能的表征。其主要內(nèi)容如下： （1）綜合分析了國(guó)內(nèi)外研究出的TATB良溶劑，進(jìn)行多組試驗(yàn)驗(yàn)證，最終研究得到：本研究所選用的離子液體[Emim]Ac/DMSO復(fù)合溶劑在質(zhì)量比為5:95的情況下對(duì)TATB的溶解性最好。 （2）從共晶機(jī)理的角度，選取官能團(tuán)合適、溶解度合適的高能炸藥HMX與TATB進(jìn)行共晶炸藥的制備，并通過(guò)MS模擬軟件模擬出兩炸藥分子間有氫鍵形成，印證TATB/HMX共晶技術(shù)的可行性。 （3）研究TATB/HMX共晶炸藥制備的工藝條件得到：在超聲輔助的情況下采用溶劑/非溶劑法，用5:95的[Emim]Ac/DMSO復(fù)合溶劑溶解投料比為3:7的TATB和HMX，溫度為80℃，攪拌強(qiáng)度500r/min，制備出的TATB/HMX共晶炸藥形貌、性能最好。 （4）在最優(yōu)條件下制備的TATB/HMX共晶炸藥的形貌規(guī)則，大小約為2μm左右，通過(guò)XRD、IR、Raman測(cè)試結(jié)果表明TATB/HMX共晶在晶體結(jié)構(gòu)上與TATB和HMX不同，證明了TATB與HMX在分子水平上結(jié)合，分子間有氫鍵的形成。 （5）TATB/HMX的H50大于100cm比原料HMX的高很多，撞擊感度降低，DSC分解溫度比原料HMX提高，熱安定也有所改善；通過(guò)理論預(yù)測(cè)的TATB/HMX的爆速比TATB原料提高了19.4%，爆壓提高了17.7%，因此TATB/HMX共晶炸藥滿足了現(xiàn)今武器發(fā)展對(duì)高能鈍感炸藥的要求。
【關(guān)鍵詞】：共晶炸藥 溶劑/非溶劑法 TATB HMX 性能表征
【學(xué)位授予單位】：中北大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：TQ560.1
【目錄】：

• 摘要4-5
• Abstract5-10
• 第一章 緒論10-21
• 1.1 引言10-11
• 1.2 高能鈍感炸藥的研究進(jìn)展11-13
• 1.2.1 高能鈍感炸藥的機(jī)理11-12
• 1.2.2 研制高能鈍感炸藥的傳統(tǒng)工藝12-13
• 1.3 共晶技術(shù)研究進(jìn)展13-20
• 1.3.1 共晶形成的原理13-14
• 1.3.2 共晶形成的要素14-18
• 1.3.3 含能材料共晶技術(shù)的研究現(xiàn)狀18-20
• 1.4 本章小結(jié)20-21
• 第二章 含 TATB 共晶炸藥的可行性研究21-34
• 2.1 原料的選擇21-23
• 2.2 溶劑的選擇23-27
• 2.2.1 TATB 良溶劑23-26
• 2.2.2 復(fù)合溶劑對(duì) TATB 的溶解性研究26-27
• 2.3 含 TATB 共晶炸藥的仿真模擬27-33
• 2.3.1 力場(chǎng)選擇27-28
• 2.3.2 晶體預(yù)測(cè)28-30
• 2.3.3 TATB/HMX 共晶分子模型30-33
• 2.4 本章小結(jié)33-34
• 第三章 TATB/HMX 共晶炸藥的制備34-47
• 3.1 試驗(yàn)藥品及儀器34-35
• 3.2 試驗(yàn)方案35-36
• 3.3 工藝條件的控制36-45
• 3.3.1 投料比的研究36-37
• 3.3.2 溶解溫度的研究37-40
• 3.3.3 攪拌速度的研究40-41
• 3.3.4 結(jié)晶方法的研究41-45
• 3.4 本章小結(jié)45-47
• 第四章 試驗(yàn)結(jié)果性能表征及分析47-70
• 4.1 掃描電鏡測(cè)試47-49
• 4.1.1 掃描電鏡測(cè)試原理47-48
• 4.1.2 掃描電鏡結(jié)果及分析48-49
• 4.2 X 射線衍射測(cè)試49-52
• 4.2.1 XRD 測(cè)試原理49-50
• 4.2.2 XRD 結(jié)果及分析50-52
• 4.3 紅外光譜測(cè)試52-56
• 4.3.1 IR 測(cè)試原理52-53
• 4.3.2 IR 結(jié)果及分析53-56
• 4.4 拉曼光譜測(cè)試56-58
• 4.4.1 Raman 測(cè)試原理56-57
• 4.4.2 Raman 結(jié)果及分析57-58
• 4.5 X 射線光電子能譜測(cè)試58-63
• 4.5.1 XPS 測(cè)試原理58-59
• 4.5.2 XPS 結(jié)果及分析59-63
• 4.6 熱性能測(cè)試63-66
• 4.6.1 DSC 測(cè)試原理63-64
• 4.6.2 DSC 測(cè)試結(jié)果及分析64-66
• 4.7 感度測(cè)試66-67
• 4.7.1 撞擊感度測(cè)試原理66-67
• 4.7.2 撞擊感度結(jié)果及分析67
• 4.8 爆速爆壓預(yù)測(cè)及分析67-69
• 4.9 本章小結(jié)69-70
• 第五章 結(jié)論與展望70-72
• 5.1 結(jié)論70
• 5.2 展望70-72
• 參考文獻(xiàn)72-78
• 攻讀碩士期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文78-79
• 致謝79-80

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：378915