氨氛圍熱處理g-C 3 N 4 控制N空位濃度提高光催化制氫性能
發(fā)布時間:2021-10-27 03:47
熱處理氧化石墨相氮化碳(g-C3N4)材料產(chǎn)生氮缺陷、提升其光催化制氫性能的研究備受關注,但其N空位濃度高且不可控、一定程度破壞g-C3N4晶體結構,降低g-C3N4的結晶度,導致光生電子-空穴對復合率高,致使其光催化制氫效率較低;谏鲜鰡栴},本研究以二氰二胺為前驅(qū)體制備了g-C3N4,與不同含量的尿素混合,在空氣中加熱快速熱處理,通過X-射線衍射儀(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)等測試手段,對其物相組成、微觀形貌、光學吸收等進行了表征,在可見光條件下對樣品進行了光催化制氫性能測試,研究了尿素的加入對熱處理后g-C3N4材料的N空位濃度、結晶度及光催化制氫性能的影響。研究表明,尿素的加入降低了N空位的濃度,且提升了其結晶度。在優(yōu)化的尿素添加量下,g-C3N4的可見光光催化制氫速率為6.5μmol·h-1,是沒有添加尿素處...
【文章來源】:物理化學學報. 2020,36(07)北大核心SCICSCD
【文章頁數(shù)】:8 頁
【部分圖文】:
bulk-C3N4和bulkx-650-10的X射線光電子能譜
Bulk-C3N4和bulkx-650-10的(a)FT-IR光譜,(b)UV-Vis吸收光譜,插圖為tauc公式推導帶隙圖
圖1給出了bulk-C3N4在650°C熱處理10 min后樣品的XRD圖譜。所有樣品的XRD峰均相同,表明快速加熱處理過程沒有破壞g-C3N4材料的晶體結構。衍射峰2θ=13°左右的峰對應g-C3N4的(100)晶面,該衍射峰反應了g-C3N4材料層內(nèi)七嗪環(huán)結構的周期性排列;2θ=27°左右的衍射峰對應gC3N4材料的(002)晶面,反應了g-C3N4層間周期性堆垛。值得注意的是,熱處理bulk-C3N4降低了衍射峰的強度,顯示結晶度的降低;尿素的加入,使bulk-C 3N4熱處理后的衍射峰強度提升,且隨尿素加入量的逐漸增加,衍射峰強度逐漸增強(圖1)。XRD分析結果表明,尿素的加入,不僅沒有改變gC3N4材料的晶體結構,而且顯著提升了其結晶度。結晶度的提升,可能是由于尿素分解產(chǎn)生NH3,抑制了g-C3N4中N空位的生成,從而保持了g-C3N4材料鍵聯(lián)。結晶度的提升,降低了g-C3N4材料中的缺陷濃度,有利于光生載流子的輸運,從而有利于提升g-C3N4材料的光催化性能。3.1.2 SEM和TEM觀察
【參考文獻】:
期刊論文
[1]石墨相氮化碳的化學合成及應用[J]. 張金水,王博,王心晨. 物理化學學報. 2013(09)
本文編號:3460808
【文章來源】:物理化學學報. 2020,36(07)北大核心SCICSCD
【文章頁數(shù)】:8 頁
【部分圖文】:
bulk-C3N4和bulkx-650-10的X射線光電子能譜
Bulk-C3N4和bulkx-650-10的(a)FT-IR光譜,(b)UV-Vis吸收光譜,插圖為tauc公式推導帶隙圖
圖1給出了bulk-C3N4在650°C熱處理10 min后樣品的XRD圖譜。所有樣品的XRD峰均相同,表明快速加熱處理過程沒有破壞g-C3N4材料的晶體結構。衍射峰2θ=13°左右的峰對應g-C3N4的(100)晶面,該衍射峰反應了g-C3N4材料層內(nèi)七嗪環(huán)結構的周期性排列;2θ=27°左右的衍射峰對應gC3N4材料的(002)晶面,反應了g-C3N4層間周期性堆垛。值得注意的是,熱處理bulk-C3N4降低了衍射峰的強度,顯示結晶度的降低;尿素的加入,使bulk-C 3N4熱處理后的衍射峰強度提升,且隨尿素加入量的逐漸增加,衍射峰強度逐漸增強(圖1)。XRD分析結果表明,尿素的加入,不僅沒有改變gC3N4材料的晶體結構,而且顯著提升了其結晶度。結晶度的提升,可能是由于尿素分解產(chǎn)生NH3,抑制了g-C3N4中N空位的生成,從而保持了g-C3N4材料鍵聯(lián)。結晶度的提升,降低了g-C3N4材料中的缺陷濃度,有利于光生載流子的輸運,從而有利于提升g-C3N4材料的光催化性能。3.1.2 SEM和TEM觀察
【參考文獻】:
期刊論文
[1]石墨相氮化碳的化學合成及應用[J]. 張金水,王博,王心晨. 物理化學學報. 2013(09)
本文編號:3460808
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/huagong/3460808.html
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