摻硒二硫化鉬的制備及其電學性能的研究
發(fā)布時間：2021-07-09 22:45
隨著傳統(tǒng)硅基器件物理極限的來臨,集成電路行業(yè)急需尋找到一種全新的半導體材料以突破這一困境。作為具有天然直接帶隙的半導體化合物,二硫化鉬因其出色的光電特性在眾多的二維材料中脫穎而出。而調協(xié)其物性、優(yōu)化其功能是將二硫化鉬（MoS2）應用于電子器件領域的關鍵,為達此目的,對MoS2進行化學摻雜是一種行之有效的手段。本文采用化學氣相沉積共生長的辦法成功將硒元素以替位硫的方式摻雜進了二硫化鉬當中。為了提高摻硒二硫化鉬(MoS2（1-x）Se2x)納米片的成膜質量,文中圍繞溫度、源用量、載氣流量等工藝參數(shù)對其生長機理的影響進行了詳盡的研究。經工藝優(yōu)化后制得的MoS2（1-x）Se2x納米片,在光鏡下呈現(xiàn)出正三角形或是正六邊形狀,平均邊長尺寸為50μm左右,部分大尺寸的樣品邊長達到了百微米量級,原子力顯微鏡的形貌測試結果表明這些納米片的厚度小于2nm,層數(shù)為1-2層。另外,通過控制反應源硒粉的用量,可以獲得含硒量不同的樣品。拉曼光譜的mapping模式顯示,硒元素在單個...
【文章來源】：天津理工大學天津市
【文章頁數(shù)】：67 頁
【學位級別】：碩士
【部分圖文】：
種類繁多、性質各異的二維材料
原子排布呈現(xiàn)出 S-Mo-S 的三明治結構（如圖1.2a 所示），Mo 和 S 原子之間以很強的共價鍵鍵合。根據 Mo 層和 S 層之間堆垛的不同，單層MoS2又可細分為2H相和1T相[4]，其中2H-MoS2具有半導體特性，屬穩(wěn)態(tài)，1T-MoS2則為金屬特性亞穩(wěn)態(tài)，一般情況下，單層二硫化鉬樣品都是以 2H 的結構存在，因此本文中所提及的 MoS2若非特殊說明，均默認為是 2H-MoS2
隙轉變?yōu)殚g接帶隙。正是因為存在天然帶隙的這一優(yōu)勢，使得 [12,13]、光電子[14]、傳感器[15,16]、能源存儲[17]等領域的前景。，美國勞倫斯伯克力國家實驗室 Ali Javey 教授的團隊采用 MoS管作為柵電極成功制作出了特征尺寸小于 1nm 的晶體管（如圖半導體器件 5nm 以下柵極無法正常工作的難題[18]。該成果證明前的集成電路的特征尺寸依然可以進一步縮小，也充分彰顯了二
【參考文獻】：
期刊論文
[1]二硫化鉬二維原子晶體化學摻雜研究進展[J]. 邢壘,焦麗穎. 物理化學學報. 2016(09)
博士論文
[1]石墨烯基納米生物材料修飾電極和單層MoS2（1-x）Se2x合金的制備及電分析、催化應用研究[D]. 馮晴亮.蘭州大學 2016
本文編號：3274632
【文章來源】：天津理工大學天津市
【文章頁數(shù)】：67 頁
【學位級別】：碩士
【部分圖文】：
種類繁多、性質各異的二維材料
原子排布呈現(xiàn)出 S-Mo-S 的三明治結構（如圖1.2a 所示），Mo 和 S 原子之間以很強的共價鍵鍵合。根據 Mo 層和 S 層之間堆垛的不同，單層MoS2又可細分為2H相和1T相[4]，其中2H-MoS2具有半導體特性，屬穩(wěn)態(tài)，1T-MoS2則為金屬特性亞穩(wěn)態(tài)，一般情況下，單層二硫化鉬樣品都是以 2H 的結構存在，因此本文中所提及的 MoS2若非特殊說明，均默認為是 2H-MoS2
隙轉變?yōu)殚g接帶隙。正是因為存在天然帶隙的這一優(yōu)勢，使得 [12,13]、光電子[14]、傳感器[15,16]、能源存儲[17]等領域的前景。，美國勞倫斯伯克力國家實驗室 Ali Javey 教授的團隊采用 MoS管作為柵電極成功制作出了特征尺寸小于 1nm 的晶體管（如圖半導體器件 5nm 以下柵極無法正常工作的難題[18]。該成果證明前的集成電路的特征尺寸依然可以進一步縮小，也充分彰顯了二
【參考文獻】：
期刊論文
[1]二硫化鉬二維原子晶體化學摻雜研究進展[J]. 邢壘,焦麗穎. 物理化學學報. 2016(09)
博士論文
[1]石墨烯基納米生物材料修飾電極和單層MoS2（1-x）Se2x合金的制備及電分析、催化應用研究[D]. 馮晴亮.蘭州大學 2016
本文編號：3274632
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