發(fā)布時(shí)間：2021-07-09 22:45

　　隨著傳統(tǒng)硅基器件物理極限的來(lái)臨,集成電路行業(yè)急需尋找到一種全新的半導(dǎo)體材料以突破這一困境。作為具有天然直接帶隙的半導(dǎo)體化合物,二硫化鉬因其出色的光電特性在眾多的二維材料中脫穎而出。而調(diào)協(xié)其物性、優(yōu)化其功能是將二硫化鉬（MoS₂）應(yīng)用于電子器件領(lǐng)域的關(guān)鍵,為達(dá)此目的,對(duì)MoS₂進(jìn)行化學(xué)摻雜是一種行之有效的手段。本文采用化學(xué)氣相沉積共生長(zhǎng)的辦法成功將硒元素以替位硫的方式摻雜進(jìn)了二硫化鉬當(dāng)中。為了提高摻硒二硫化鉬(MoS_2（1-x）Se_2x)納米片的成膜質(zhì)量,文中圍繞溫度、源用量、載氣流量等工藝參數(shù)對(duì)其生長(zhǎng)機(jī)理的影響進(jìn)行了詳盡的研究。經(jīng)工藝優(yōu)化后制得的MoS_2（1-x）Se_2x納米片,在光鏡下呈現(xiàn)出正三角形或是正六邊形狀,平均邊長(zhǎng)尺寸為50μm左右,部分大尺寸的樣品邊長(zhǎng)達(dá)到了百微米量級(jí),原子力顯微鏡的形貌測(cè)試結(jié)果表明這些納米片的厚度小于2nm,層數(shù)為1-2層。另外,通過(guò)控制反應(yīng)源硒粉的用量,可以獲得含硒量不同的樣品。拉曼光譜的mapping模式顯示,硒元素在單個(gè)... 

【文章來(lái)源】：天津理工大學(xué)天津市

【文章頁(yè)數(shù)】：67 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

種類繁多、性質(zhì)各異的二維材料

原子排布呈現(xiàn)出 S-Mo-S 的三明治結(jié)構(gòu)（如圖1.2a 所示），Mo 和 S 原子之間以很強(qiáng)的共價(jià)鍵鍵合。根據(jù) Mo 層和 S 層之間堆垛的不同，單層MoS2又可細(xì)分為2H相和1T相[4]，其中2H-MoS2具有半導(dǎo)體特性，屬穩(wěn)態(tài)，1T-MoS2則為金屬特性亞穩(wěn)態(tài)，一般情況下，單層二硫化鉬樣品都是以 2H 的結(jié)構(gòu)存在，因此本文中所提及的 MoS2若非特殊說(shuō)明，均默認(rèn)為是 2H-MoS2

隙轉(zhuǎn)變?yōu)殚g接帶隙。正是因?yàn)榇嬖谔烊粠兜倪@一優(yōu)勢(shì)，使得 [12,13]、光電子[14]、傳感器[15,16]、能源存儲(chǔ)[17]等領(lǐng)域的前景。，美國(guó)勞倫斯伯克力國(guó)家實(shí)驗(yàn)室 Ali Javey 教授的團(tuán)隊(duì)采用 MoS管作為柵電極成功制作出了特征尺寸小于 1nm 的晶體管（如圖半導(dǎo)體器件 5nm 以下柵極無(wú)法正常工作的難題[18]。該成果證明前的集成電路的特征尺寸依然可以進(jìn)一步縮小，也充分彰顯了二

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]二硫化鉬二維原子晶體化學(xué)摻雜研究進(jìn)展[J]. 邢壘,焦麗穎.  物理化學(xué)學(xué)報(bào). 2016(09)

博士論文
[1]石墨烯基納米生物材料修飾電極和單層MoS2（1-x）Se2x合金的制備及電分析、催化應(yīng)用研究[D]. 馮晴亮.蘭州大學(xué) 2016



本文編號(hào)：3274632