M6硅片金剛線切割工藝優(yōu)化研究
發(fā)布時(shí)間:2021-06-06 03:52
光伏已然成為人類新能源革命的排頭兵,如何讓光伏真正實(shí)現(xiàn)平價(jià)上網(wǎng),成為大眾所接受的資源,需要在產(chǎn)品質(zhì)量和成本方面進(jìn)行不斷探索優(yōu)化。針對(duì)目前行業(yè)主流的M6硅片,通過對(duì)線切工藝相關(guān)參數(shù)進(jìn)行分析,對(duì)照其變化對(duì)硅片質(zhì)量的影響,以期探究硅片切割生產(chǎn)的最優(yōu)化工藝。
【文章來源】:山西化工. 2020,40(06)
【文章頁(yè)數(shù)】:3 頁(yè)
【部分圖文】:
單晶硅片切割生產(chǎn)示意圖[1]
通過對(duì)實(shí)驗(yàn)1的相關(guān)數(shù)據(jù)進(jìn)行整理,具體如表1、圖2。從崩邊以及線痕的比例變化可以看出,當(dāng)切割線速出現(xiàn)變化時(shí),在1 350m/min~1 550m/min區(qū)間段,崩邊比例有顯著上升,而線痕比例略有下降,當(dāng)超過1 550m/min時(shí)增加線速對(duì)這兩項(xiàng)指標(biāo)影響相對(duì)較小。主要原因是切割線速的增加在一定程度體現(xiàn)出單位時(shí)間內(nèi)參與切割的SiC顆粒比例相應(yīng)增加,鋼線的切割能力增強(qiáng)。而硅棒屬于脆性材料,表面并不光滑平坦,過程為不連續(xù)切割過程。[3]當(dāng)線速與硅棒固有頻率相接近時(shí),硅片表面粗糙度下降,線痕比例減少。當(dāng)增加到一定程度時(shí)這兩方面的作用不再明顯,因此崩邊和線痕比例呈平穩(wěn)狀態(tài)。
從圖3比例變化可以看出,當(dāng)張力出現(xiàn)變化時(shí),崩邊基本隨著張力的增加而逐漸降低,而線痕則隨張力的變化呈現(xiàn)相對(duì)穩(wěn)定的狀態(tài)。主要原因在于張力的增加,能夠顯著減小切割線弓,從而保證在鋼線進(jìn)刀位置同步性增強(qiáng),另外,張力增加鋼線切割過程中抖動(dòng)的幅度進(jìn)一步降低,因此崩邊比例出現(xiàn)下降。張力的變化對(duì)切割能力基本沒有影響,因此硅片的線痕基本沒有變化。另外,從硅片外觀觀察,張力變大時(shí)在硅片表面呈現(xiàn)的紋路弧度較小。圖4為單晶硅片不同張力下線痕對(duì)比圖。圖4 單晶硅片不同張力下線痕對(duì)比示意圖
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]線速度對(duì)金剛石線鋸及硅片表面質(zhì)量的影響[J]. 郭俊文,蘇宇飛. 工具技術(shù). 2019(11)
[2]金剛砂均勻性對(duì)多晶切片質(zhì)量的影響分析[J]. 白楊豐,崔國(guó)瑞,于麗君. 電子工業(yè)專用設(shè)備. 2018(03)
本文編號(hào):3213542
【文章來源】:山西化工. 2020,40(06)
【文章頁(yè)數(shù)】:3 頁(yè)
【部分圖文】:
單晶硅片切割生產(chǎn)示意圖[1]
通過對(duì)實(shí)驗(yàn)1的相關(guān)數(shù)據(jù)進(jìn)行整理,具體如表1、圖2。從崩邊以及線痕的比例變化可以看出,當(dāng)切割線速出現(xiàn)變化時(shí),在1 350m/min~1 550m/min區(qū)間段,崩邊比例有顯著上升,而線痕比例略有下降,當(dāng)超過1 550m/min時(shí)增加線速對(duì)這兩項(xiàng)指標(biāo)影響相對(duì)較小。主要原因是切割線速的增加在一定程度體現(xiàn)出單位時(shí)間內(nèi)參與切割的SiC顆粒比例相應(yīng)增加,鋼線的切割能力增強(qiáng)。而硅棒屬于脆性材料,表面并不光滑平坦,過程為不連續(xù)切割過程。[3]當(dāng)線速與硅棒固有頻率相接近時(shí),硅片表面粗糙度下降,線痕比例減少。當(dāng)增加到一定程度時(shí)這兩方面的作用不再明顯,因此崩邊和線痕比例呈平穩(wěn)狀態(tài)。
從圖3比例變化可以看出,當(dāng)張力出現(xiàn)變化時(shí),崩邊基本隨著張力的增加而逐漸降低,而線痕則隨張力的變化呈現(xiàn)相對(duì)穩(wěn)定的狀態(tài)。主要原因在于張力的增加,能夠顯著減小切割線弓,從而保證在鋼線進(jìn)刀位置同步性增強(qiáng),另外,張力增加鋼線切割過程中抖動(dòng)的幅度進(jìn)一步降低,因此崩邊比例出現(xiàn)下降。張力的變化對(duì)切割能力基本沒有影響,因此硅片的線痕基本沒有變化。另外,從硅片外觀觀察,張力變大時(shí)在硅片表面呈現(xiàn)的紋路弧度較小。圖4為單晶硅片不同張力下線痕對(duì)比圖。圖4 單晶硅片不同張力下線痕對(duì)比示意圖
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]線速度對(duì)金剛石線鋸及硅片表面質(zhì)量的影響[J]. 郭俊文,蘇宇飛. 工具技術(shù). 2019(11)
[2]金剛砂均勻性對(duì)多晶切片質(zhì)量的影響分析[J]. 白楊豐,崔國(guó)瑞,于麗君. 電子工業(yè)專用設(shè)備. 2018(03)
本文編號(hào):3213542
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