【摘要】：基于密度泛函理論,采用第一性原理方法,計(jì)算了氧化石墨烯納米帶的電荷密度、能帶結(jié)構(gòu)和分波態(tài)密度。結(jié)果表明,石墨烯納米帶被氧化后,轉(zhuǎn)變?yōu)殚g接帶隙半導(dǎo)體,帶隙值為0.375 e V。電荷差分密度表明,從C原子和H原子到O原子之間有電荷的轉(zhuǎn)移。分波態(tài)密度顯示,在導(dǎo)帶和價(jià)帶中C-2s、2p,O-2p,H-1s電子態(tài)之間存在強(qiáng)烈的雜化效應(yīng)。在費(fèi)米能級(jí)附近,O-2p態(tài)電子局域效應(yīng)的貢獻(xiàn)明顯,對(duì)于改善氧化石墨烯納米帶的半導(dǎo)體發(fā)光效應(yīng)起到了主要作用。
[Abstract]:Based on the density functional theory, the charge density, band structure and wave-splitting density of states of graphene oxide nanoribbons are calculated by the first-principles method. The results show that graphene nanoribbons are oxidized into indirect band gap semiconductors with a band gap of 0.375 e V. The charge difference density shows that there is electricity between C and H atoms and O atoms. Charge transfer. Wave-splitting density of states shows that there is a strong hybridization effect between C-2s, 2p, O-2p, H-1s states in the conduction band and valence band. Near Fermi level, the electron localization effect of O-2p state contributes significantly to the improvement of the semiconductor luminescence effect of graphene oxide nanoribbons.
【作者單位】： 內(nèi)蒙古民族大學(xué)物理與電子信息學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(11464034) 內(nèi)蒙古自治區(qū)自然科學(xué)基金(2016BS0107) 內(nèi)蒙古民族大學(xué)科學(xué)研究項(xiàng)目(NMDGP1718)資助~~
【分類號(hào)】：TB383.1;TQ127.11

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本文編號(hào)：2202775