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幾種拓?fù)浣^緣體微結(jié)構(gòu)材料的制備及其相干輸運(yùn)觀察

發(fā)布時(shí)間:2016-11-30 14:06

  本文關(guān)鍵詞:球磨法制備六方氮化硼納米片的研究,,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。


《南京大學(xué)》 2015年

幾種拓?fù)浣^緣體微結(jié)構(gòu)材料的制備及其相干輸運(yùn)觀察

陸浩然  

【摘要】:本文工作采用氣固法成功制備了Bi2Te3和Bi2Se3的三角形和六邊形的納米薄片和Bi2Te3-Bi2Se3的異質(zhì)結(jié)構(gòu)。納米薄片的橫向長(zhǎng)度可達(dá)20 μm以上,最薄厚度可達(dá)6nm;異質(zhì)結(jié)構(gòu)仍為三角形和六邊形,Bi2Se3內(nèi)嵌在Bi2Te3納米薄片中。采用同樣的思路,利用Bi2Te3和Bi2Se3的混合源,產(chǎn)物將會(huì)變成三元的拓?fù)浣^緣體材料BTS。作者利用電磁感應(yīng)爐把熔點(diǎn)為1857.0℃的Cr蒸發(fā)出來(lái),作為Cr源,用以生長(zhǎng)含Cr的BTS薄膜。作者制作了四電極納米結(jié)構(gòu)器件并進(jìn)行了低溫輸運(yùn)測(cè)量。測(cè)量結(jié)果證實(shí)拓?fù)浣^緣體納米薄片中的弱反局域化效應(yīng)。作者利用HLN公式去擬合弱反局域化的數(shù)據(jù)可以得到代表著通道數(shù)的α和相位相干長(zhǎng)度。α隨溫度的升高而增加,這意味著退耦合現(xiàn)象的發(fā)生。Bi2Se3中的輸運(yùn)可以用表面體相散射弛豫時(shí)間τSB相位相干時(shí)間τφ之間的競(jìng)爭(zhēng)機(jī)制來(lái)解釋,而B(niǎo)TS中的結(jié)果要用體相調(diào)控兩表面模型來(lái)解釋。

【關(guān)鍵詞】:
【學(xué)位授予單位】:南京大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類號(hào)】:TB30
【目錄】:

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本文編號(hào):199422

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