發(fā)布時(shí)間：2018-05-29 21:18

  本文選題：金屬誘導(dǎo)晶化 + 界面熱力學(xué)　； 參考：《功能材料》2017年11期

【摘要】：對可形成硅化物的金屬銅、鎳誘導(dǎo)非晶硅晶化機(jī)制進(jìn)行了研究。利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)和磁控濺射制備了Cu/a-Si、Ni/a-Si雙層薄膜系列樣品,并對制備的樣品進(jìn)行了退火處理,然后利用X射線衍射儀和拉曼光譜儀對樣品進(jìn)行了表征。結(jié)果表明,對2個(gè)雙層膜體系退火,首先生成金屬硅化物,然后當(dāng)溫度升高到一定值時(shí)才會發(fā)生非晶硅晶化。利用界面熱力學(xué)解釋了銅、鎳誘導(dǎo)非晶硅晶化的機(jī)制,以及金屬硅化物在誘導(dǎo)過程中的作用。
[Abstract]:The mechanism of amorphous silicon crystallization induced by nickel and copper was studied. The Cu / a-Si / Ni / a-Si bilayer films were prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) and magnetron sputtering. The samples were annealed and characterized by X-ray diffraction and Raman spectroscopy. The results show that after annealing of two bilayer films, the metal-silicide is first formed, and then the amorphous silicon crystallization occurs when the temperature is raised to a certain value. The mechanism of amorphous silicon crystallization induced by copper and nickel and the role of metal silicides in the induction process were explained by interfacial thermodynamics.
【作者單位】： 汕頭大學(xué)理學(xué)院物理系;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(11274218)
【分類號】：TB383.2;TQ127.2

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本文編號：1952393