本文選題：過(guò)渡金屬硫化物 + 化學(xué)氣相沉積��； 參考：《人工晶體學(xué)報(bào)》2017年06期

【摘要】：2004年以來(lái),石墨烯因其優(yōu)異的光學(xué)、電學(xué)性質(zhì)而被廣泛地研究,但由于其零帶隙的特性極大地限制了它的應(yīng)用前景。單層的VIB族過(guò)渡金屬硫化物(TMDs)擁有類似石墨烯的晶體結(jié)構(gòu)及可控的能帶結(jié)構(gòu),是一類理想的二維直接帶隙半導(dǎo)體材料,不僅可用于探索如谷極化等一些基礎(chǔ)和前沿的物理問(wèn)題,也可以廣泛應(yīng)用于納米器件、光電子學(xué)和光催化的研究。近年來(lái),化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)作為一種相較于傳統(tǒng)化學(xué)合成或物理剝離更加有效的制備方法被引入此類材料的生長(zhǎng),能夠合成出擁有大面積連續(xù)的、厚薄均勻和較高晶體質(zhì)量的單層TMDs。基于此,重點(diǎn)介紹了利用CVD技術(shù)生長(zhǎng)單層TMDs所取得的進(jìn)展,討論了各工藝條件(如反應(yīng)溫度、載流氣體、襯底、前驅(qū)物與襯底之間的距離等)對(duì)單層TMDs的生長(zhǎng)及性質(zhì)的影響。最后,探討了利用CVD技術(shù)實(shí)現(xiàn)調(diào)控單層TMDs的尺寸、覆蓋度和層厚均勻性的途徑和方法。
[Abstract]:Graphene has been widely studied for its excellent optical and electrical properties since 2004, but its application prospect is greatly limited by its zero-band gap. The monolayer VIB family transition metal sulfides have graphene like crystal structure and controllable band structure. They are a kind of ideal two-dimensional direct band-gap semiconductor materials, which can be used not only to explore some basic and frontier physical problems such as valley polarization. It can also be widely used in nanodevices, optoelectronics and photocatalysis. In recent years, the chemical vapor deposition (CVD) technology has been introduced into the growth of these materials as a more effective preparation method than the traditional chemical synthesis or physical stripping, which can synthesize a large area of continuous. Thin and homogeneous monolayer TMDs with high crystal quality. Based on this, the progress of monolayer TMDs growth using CVD technology is introduced, and the effects of various process conditions (such as reaction temperature, current carrier gas, substrate, distance between precursor and substrate) on the growth and properties of monolayer TMDs are discussed. Finally, the ways and methods of controlling the size, coverage and thickness uniformity of monolayer TMDs by using CVD technology are discussed.
【作者單位】： 安慶師范大學(xué)物理與電氣工程學(xué)院;安慶美晶新材料有限公司;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(11447197) 安徽省自然科學(xué)基金(1608085MA21) 安徽省教育廳資助項(xiàng)目(AQKJ2014B019)
【分類號(hào)】：TQ125.1

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9 ;淺談化學(xué)氣相沉積新工藝[J];機(jī)械工人技術(shù)資料;1975年07期

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