發(fā)布時間：2018-05-13 02:03

  本文選題：磷鍺鋅 + 合成裝置��； 參考：《科學(xué)技術(shù)與工程》2016年05期

【摘要】：研究設(shè)計(jì)了ZnGeP_2多晶的合成裝置,包括合成安瓿,合成爐結(jié)構(gòu)與溫場分布。利用自行設(shè)計(jì)的合成裝置,采用兩溫區(qū)氣相輸運(yùn)法進(jìn)行ZnGeP_2多晶合成實(shí)驗(yàn),并對合成的多晶材料進(jìn)行XRD,EDS和密度測試。結(jié)果表明,合成產(chǎn)物為高純、單相的ZnGeP_2多晶材料,設(shè)計(jì)的多晶合成裝置和兩溫區(qū)氣相輸運(yùn)合成工藝適合ZnGeP_2多晶的合成,為高質(zhì)量ZnGeP_2多晶材料的獲得奠定了基礎(chǔ)。
[Abstract]:The synthesis device of ZnGeP_2 polycrystal, including ampoule synthesis, structure of synthesis furnace and temperature field distribution, was designed and studied. The ZnGeP_2 polycrystalline synthesis experiment was carried out by using the two-temperature vapor transport method with a self-designed synthesis device. The synthesized polycrystalline materials were tested by XRD-EDS and density. The results show that the synthesized products are high purity and single phase ZnGeP_2 polycrystalline materials. The designed polycrystalline synthesis device and two-temperature gas phase transport synthesis process are suitable for the synthesis of ZnGeP_2 polycrystals, which lays a foundation for obtaining high quality ZnGeP_2 polycrystalline materials.
【作者單位】： 中國民用航空飛行學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(50732005) 四川省科技廳基金項(xiàng)目(2015ZR0034) 中國民用航空飛行學(xué)院科研基金項(xiàng)目(J2014-92,Q2012-126)資助
【分類號】：TQ132.41

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本文編號：1881148