本文選題：同質(zhì)外延 + 單晶金剛石　； 參考：《真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào)》2017年02期

【摘要】：利用微波等離子體化學(xué)氣相沉積法,在天然金剛石的(100)、(110)以及(111)晶面上進(jìn)行了同質(zhì)外延生長單晶金剛石的研究,分析了這三個晶面上同質(zhì)外延生長的特點(diǎn)。結(jié)果表明,不同的晶面上金剛石的生長速率和形貌顯著不同。(110)晶面生長速率最快,表面由一系列大小不同的四面體組成,(100)晶面次之,呈現(xiàn)出排列規(guī)整的生長臺階,而(111)晶面生長速率最低,表面光滑平整,(100)和(111)的這種二維生長表面粗糙度明顯小于(110)的一維生長表面,而這些特點(diǎn)與其生長模式密切相關(guān)。雖然在(111)晶面生長出了質(zhì)量理想、表面平整的單晶金剛石,但是與(100)和(110)晶面外延生長的單晶金剛石相比,其質(zhì)量還是較低。
[Abstract]:Homoepitaxial growth of monocrystalline diamond was studied by microwave plasma chemical vapor deposition (microwave plasma chemical vapor deposition) on the crystal plane of natural diamond, and the characteristics of homoepitaxial growth on these three crystal planes were analyzed. The results show that the growth rate and morphology of diamond on different crystal planes are significantly different. The growth rate of diamond faces is the fastest, and the surface is composed of a series of tetrahedrons of different sizes. On the other hand, the growth rate of the crystal plane is the lowest, and the surface roughness of this two-dimensional growth surface is obviously less than that of the one-dimensional growth surface with smooth and smooth surface. These characteristics are closely related to the growth pattern. Although the single crystal diamond with ideal quality and flat surface has been grown on the crystal plane, the quality of the single crystal diamond grown by epitaxial growth is still lower than that of the crystal plane epitaxial growth.
【作者單位】： 武漢工程大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院 湖北省等離子體化學(xué)與新材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所;
【基金】：國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目 中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所創(chuàng)新基金(CJ20150701)
【分類號】：TQ163

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本文編號：1788970