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冶金法制備太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的耦合除雜研究

發(fā)布時(shí)間:2018-04-21 15:54

  本文選題:工業(yè)硅 + 介質(zhì)熔煉 ; 參考:《無(wú)機(jī)材料學(xué)報(bào)》2017年03期


【摘要】:以工業(yè)硅為原料,利用介質(zhì)熔煉、定向凝固和電子束熔煉三種熔體處理技術(shù)對(duì)工業(yè)硅中的B、P和金屬雜質(zhì)進(jìn)行了去除,制備出了99.9999%級(jí)多晶硅材料,其中,雜質(zhì)B和P的含量分別低于0.20 ppmw(parts per million(weight),百萬(wàn)分之一質(zhì)量),金屬雜質(zhì)總含量(TM)低于0.23 ppmw。研究發(fā)現(xiàn),介質(zhì)熔煉去除雜質(zhì)B的過(guò)程中,熔體中發(fā)生氧化還原反應(yīng)可以有效去除大部分的雜質(zhì)Al和Ca;電子束熔煉過(guò)程中,利用飽和蒸氣壓原理可以有效去除揮發(fā)性雜質(zhì)P、Al、Ca,同時(shí)降束誘導(dǎo)多晶硅定向凝固,可將其他金屬雜質(zhì)進(jìn)一步去除。本研究通過(guò)各技術(shù)間的耦合除雜,減少了冶金法提純多晶硅的工序,為連續(xù)化、規(guī);a(chǎn)提供了技術(shù)支撐。
[Abstract]:The removal of B , P and metal impurities in industrial silicon is carried out by means of three kinds of melt processing techniques such as medium smelting , directional solidification and electron beam melting .

【作者單位】: 大連理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;大連理工大學(xué)遼寧省太陽(yáng)能光伏系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;大工(青島)新能源材料技術(shù)研究院有限公司;
【基金】:國(guó)家自然科學(xué)基金(51404053) 中國(guó)博士后科學(xué)基金(2014M551076)~~
【分類號(hào)】:TQ127.2

【參考文獻(xiàn)】

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【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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【相似文獻(xiàn)】

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6 郭校亮;電子束熔煉與定向凝固技術(shù)耦合去除硅中雜質(zhì)的研究[D];大連理工大學(xué);2013年

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本文編號(hào):1783099

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