本文選題：鋯鈦酸鋇 + 摻雜　； 參考：《華北理工大學(xué)》2016年碩士論文

【摘要】：鋯鈦酸鋇(BZT)材料具有優(yōu)良的介電、鐵電性能,作為重要的鐵電材料,常應(yīng)用于各種元器件中。為了提高其介電性能及溫度穩(wěn)定性,常采用摻雜和包裹的方法對(duì)其改性,以期達(dá)到實(shí)際應(yīng)用的需要。采用固相反應(yīng)法,制備了Fe_2O_3及Gd2O_3、La_2O_3、Sm_2O_3摻雜的BaZr_(0.1)Ti_(0.9)O_3基陶瓷粉體。采用液相包裹法,在BZT基粉體表面包裹一層Al_2O_3、SiO_2。然后分析了試樣的微觀結(jié)構(gòu)、介電性能等。研究結(jié)果表明:隨著Fe_2O_3摻雜量的增加,試樣的介電常數(shù)εr先增加后減小,在摻雜量y=1.00時(shí)有較大值,介電損耗tanδ整體上減小。隨Gd2O_3摻雜量的增加,介電常數(shù)在摻雜量y=0.20和0.60時(shí)有較大值,介質(zhì)損耗整體上表現(xiàn)出下降趨勢(shì)。Fe_2O_3、Gd2O_3的摻雜都具有一定的移峰與展寬的作用。隨著La_2O_3摻雜量的增加,室溫下介電常數(shù)增加,介質(zhì)損耗整體上表現(xiàn)出下降趨勢(shì)。La_2O_3的摻雜對(duì)居里峰值有所提高,有較明顯的移峰效果,但居里峰展寬效果不明顯。復(fù)合摻雜時(shí),介電常數(shù)隨Sm_2O_3加入量的增加先增加后降低,介質(zhì)損耗整體上表現(xiàn)出增加趨勢(shì)。Sm_2O_3的摻雜具有一定的移峰與展寬的作用。隨著A12O_3包裹量的增加,試樣的體積密度ρV逐漸減小,介電常數(shù)降低,介電損耗增大。隨著包裹量的增加,A、B工藝條件下,居里點(diǎn)均向低溫方向移動(dòng),同時(shí)介電峰被壓低展寬。隨著SiO_2包裹量的增加,試樣的體積密度ρV逐漸減小,介電常數(shù)降低,介電損耗增大。A、B兩種工藝條件下,隨著包裹量的增加,居里點(diǎn)向高溫移動(dòng),B工藝條件下,包裹對(duì)壓峰效果不明顯。
[Abstract]:Barium zirconium titanate (BZT) has excellent dielectric and ferroelectric properties. As an important ferroelectric material, it is often used in various components.In order to improve its dielectric properties and temperature stability, it is often modified by doping and encapsulation, in order to meet the needs of practical application.BaZr_(0.1)Ti_(0.9)O_3 based ceramic powders doped with Fe_2O_3 and Gd _ 2O _ 3 were prepared by solid state reaction.The surface of BZT based powder was coated with Al _ 2O _ 2 _ S _ 3SiO _ 2 by liquid phase encapsulation method.Then the microstructure and dielectric properties of the samples were analyzed.The results show that the dielectric constant 蔚 r increases first and then decreases with the increase of Fe_2O_3 doping content, and the dielectric loss tan 未 decreases as a whole.With the increase of doping amount of Gd2O_3, the dielectric constant has a larger value when the doping amounts are 0.20 and 0.60, and the dielectric loss shows a downward trend as a whole. The doping of Fe _ 2O _ 3 / Gd _ 2O _ 3 has a certain effect of peak shifting and broadening.With the increase of La_2O_3 doping content, the dielectric constant increases at room temperature, and the dielectric loss shows a decreasing trend. The doping of La _ S _ 2O _ 3 increases the Curie peak value, and has obvious peak shifting effect, but the broadening effect of Curie peak is not obvious.The dielectric constant increases first and then decreases with the increase of Sm_2O_3 content, and the dielectric loss shows an increasing trend. The doping of Sm _ 2O _ 3 has a certain effect of peak shifting and broadening.With the increase of A12O_3 encapsulation, the bulk density 蟻 V decreases gradually, the dielectric constant decreases and the dielectric loss increases.With the increase of encapsulation, the Curie point moves to low temperature, and the dielectric peak is depressed and widened.With the increase of SiO_2 encapsulation, the bulk density 蟻 V of the sample decreases gradually, the dielectric constant decreases, the dielectric loss increases, and the Curie point moves to high temperature under the condition of increasing the encapsulation amount.The effect of package on peak pressure is not obvious.
【學(xué)位授予單位】：華北理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號(hào)】：TQ174.1

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本文編號(hào)：1757398