發(fā)布時(shí)間：2018-03-18 17:48

  本文選題：石墨烯　切入點(diǎn)：基底　出處：《化學(xué)通報(bào)》2017年03期 　論文類(lèi)型：期刊論文

【摘要】：石墨烯獨(dú)特的二元化電子價(jià)鍵結(jié)構(gòu)使其在納米電子器件中具有良好的應(yīng)用前景。拉曼光譜作為一種靈敏、便捷的技術(shù),已被成功用于表征石墨烯的結(jié)構(gòu)和特性。本文主要介紹對(duì)沉積在不同基底以及摻雜的石墨烯所進(jìn)行的拉曼光譜研究。通過(guò)對(duì)銦錫氧化物、藍(lán)寶石和玻璃基底上石墨烯的拉曼光譜的觀(guān)察,發(fā)現(xiàn)在不同基底上的石墨烯拉曼G峰與2D峰會(huì)有不同程度的位移,但2D峰峰值可判斷石墨烯層數(shù)這一結(jié)論仍適用。摻雜可改變石墨烯的荷電狀態(tài),使石墨烯表現(xiàn)出空穴(p)型或電子(n)型摻雜特性,通過(guò)石墨烯拉曼光譜的變化可以定性石墨烯的摻雜類(lèi)別并定量表征石墨烯的載流子濃度。
[Abstract]:Because of its unique dualized electronic valence bond structure, graphene has a good application prospect in nanoelectronic devices. Raman spectroscopy is a sensitive and convenient technology. It has been successfully used to characterize the structure and properties of graphene. In this paper, Raman spectra of graphene deposited on different substrates and doped graphene have been studied. The Raman spectra of graphene on sapphire and glass substrates show that the G peaks of graphene on different substrates have different shifts with 2D summit. However, the peak value of 2D peak can be used to determine the number of graphene layers. Doping can change the charged state of graphene and make graphene exhibit the characteristics of cavitation or electron) type doping. By changing the Raman spectra of graphene, the doping category of graphene can be determined and the carrier concentration of graphene can be quantitatively characterized.
【作者單位】： 中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)化研究院;北京工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【基金】：北京市科技計(jì)劃項(xiàng)目(Z151100003515003) 北京市教委科研計(jì)劃項(xiàng)目(KM201410005015) 中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)化研究院院長(zhǎng)基金項(xiàng)目(222016Y-4504,222016Y-4505)資助
【分類(lèi)號(hào)】：TQ127.11

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本文編號(hào)：1630647