微米金剛石薄膜的制備與場發(fā)射研究
本文關(guān)鍵詞: 微米金剛石薄膜 場致電子發(fā)射 發(fā)射點(diǎn)密度 微波等離子體化學(xué)氣相沉積 出處:《電子器件》2016年01期 論文類型:期刊論文
【摘要】:利用微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)法,在鍍金屬鈦層的陶瓷基底上面,調(diào)整優(yōu)化沉積參數(shù),制備出了碳膜。通過各種儀器分析了碳膜的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和表面形貌,證明該碳膜是微米金剛石薄膜。進(jìn)一步將微米金剛石薄膜作為場發(fā)射陰極材料,測試了其場致電子發(fā)射特性。穩(wěn)定發(fā)射狀態(tài)下的開啟電場為1.15 V/μm,在3.35 V/μm的電場下,其場發(fā)射電流密度為0.81 m A/cm2,發(fā)射點(diǎn)密度約為104/cm2。并對其發(fā)射機(jī)理進(jìn)行了研究。
[Abstract]:By means of microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) method, the carbon film was prepared by adjusting the deposition parameters on the ceramic substrate of the metal-plated titanium layer. The internal structure and surface morphology of the carbon film were analyzed by various instruments. It is proved that the carbon film is a micron diamond film. The field emission characteristics of the carbon film are measured by using the micrometer diamond film as the field emission cathode material. The open electric field is 1.15 V / 渭 m and 3.35 V / 渭 m under stable emission state. The field emission current density is 0.81 Ma / cm ~ (2) and the emission point density is about 104% 路cm ~ (2). The emission mechanism is studied.
【作者單位】: 鄭州師范學(xué)院物理系;鄭州大學(xué)物理工程學(xué)院材料物理教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】:教育部科學(xué)技術(shù)重點(diǎn)項(xiàng)目(205091) 河南省高等學(xué)校青年骨干教師計(jì)劃項(xiàng)目(教高〔2011〕550號) 河南省科學(xué)技術(shù)成果項(xiàng)目(教高豫科鑒委字〔2015〕第569號)
【分類號】:TB383.2;TQ163
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本文編號:1537051
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