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銅摻雜氧化錫的制備及其氣敏性能研究

發(fā)布時(shí)間:2017-11-25 02:03

  本文關(guān)鍵詞:銅摻雜氧化錫的制備及其氣敏性能研究


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【摘要】:利用PVP為表面活性劑,將氯化亞錫和氯化銅溶解在草酸水溶液中,通過簡(jiǎn)單溫和的一步水熱法,制備了銅摻雜的氧化錫,采用XRD、SEM、TEM等測(cè)試手段對(duì)材料的結(jié)構(gòu)和形貌進(jìn)行了表征,并使用氣敏測(cè)試設(shè)備WS-30A系統(tǒng)研究了氯化銅的摻雜比例在0~20%時(shí)對(duì)材料氣敏性能的影響.結(jié)果表明,適宜比例的銅摻雜二氧化錫氣敏傳感器對(duì)硫化氫氣體具有很好的氣敏響應(yīng)性能,摻雜比例為10%時(shí)可以顯著改善氣敏元件響應(yīng)時(shí)間、恢復(fù)時(shí)間、選擇性和穩(wěn)定性,且最佳響應(yīng)溫度大幅度降低,最低在180℃.最后,討論了銅摻雜對(duì)氧化錫氣敏性能增強(qiáng)的機(jī)理.
【作者單位】: 納米技術(shù)及應(yīng)用國家工程研究中心;上海交通大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【基金】:科技部國際合作項(xiàng)目(KY201302007)
【分類號(hào)】:TQ134.32;TB34
【正文快照】: 0引言隨著納米技術(shù)的日新月異,與半導(dǎo)體氣敏材料緊密相關(guān)的研究已經(jīng)成為熱門課題,而隨后的商品化驅(qū)使半導(dǎo)體氣敏元件飛速發(fā)展[1].常用半導(dǎo)體材料如:Sn O2、Zn O2、WO3、In2O3、Fe2O3、Zn S-n O3等陸續(xù)在氣敏傳感器上開發(fā)使用[2].其中,寬禁帶半導(dǎo)體材料Sn O2(3.6 e V)以其獨(dú)特

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