本文關(guān)鍵詞：SiC顆粒的氧化行為研究

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【摘要】：研究了SiC顆粒氧化前后的微觀形貌及元素變化,SiC顆粒氧化增重趨勢(shì)及其影響因素。結(jié)果表明:氧化反應(yīng)使SiC顆粒形貌發(fā)生很大改變,對(duì)SiC顆粒有鈍化作用,使其失去了很尖銳的邊角,更趨于圓滑;氧化后SiC顆粒表面有SiO_2生成;氧化前期SiC氧化增重隨氧化時(shí)間的延長(zhǎng)和氧化溫度的升高而呈線(xiàn)性關(guān)系增加,氧化速度主要受界面化學(xué)反應(yīng)速率影響,氧化后期氧化增重緩慢,受O_2和CO等在表層氧化膜中的擴(kuò)散速率控制。并提出了一種簡(jiǎn)單估算SiC顆粒氧化層厚度的公式。
【作者單位】： 河南科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;河南省有色金屬協(xié)同創(chuàng)新中心;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51371077)
【分類(lèi)號(hào)】：TQ163.4
【正文快照】： Si C有許多優(yōu)良性能,諸如高溫強(qiáng)度高、密度小、耐腐蝕、耐磨損等,已成為發(fā)展高新技術(shù)的關(guān)鍵材料[1],主要被用來(lái)作為耐熱的陶瓷電熱元件和各種復(fù)合材料的增強(qiáng)體。Si C顆粒增強(qiáng)Al基復(fù)合材料具有密度小、價(jià)格低的優(yōu)點(diǎn),成為最具前途的新型結(jié)構(gòu)材料之一,廣泛用于航空航天、交通運(yùn)輸

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本文編號(hào)：1151941