本文關(guān)鍵詞：一維二硫化鉬納米結(jié)構(gòu)的可控制備及其性能的研究

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【摘要】：MoS_2納米材料在納米科技領(lǐng)域已被廣泛關(guān)注,這正是由于其在納米器件技術(shù)應(yīng)用上具有巨大的潛力。因此就需要解決兩個(gè)主要問題:一是如何合成納米材料,二是在應(yīng)用上給予納米結(jié)構(gòu)的期望。因此我將討論典型的合成方法和一些有希望的一維納米材料的應(yīng)用,對(duì)這一挑戰(zhàn),在納米材料研究領(lǐng)域發(fā)表一些個(gè)人見解,以及個(gè)人對(duì)1D二硫化鉬的研究。最后,在目前的納米材料的基礎(chǔ)上,我給一些在未來的研究方向上的個(gè)人觀點(diǎn)。具體的研究工作如下:在SiO2/Si基板上我們能觀察到,沿著氣體流動(dòng)方向上,通過化學(xué)氣相沉積(CVD)法生長的二硫化鉬納米棒的常規(guī)形態(tài)演變。它可以歸因于沿氣體流動(dòng)方向上的氣態(tài)氧化鉬的濃度梯度影響著二硫化鉬晶體的平均生長速率。二硫化鉬晶體的沉積隨著氧化鉬粉末的移近,所經(jīng)歷的常規(guī)形態(tài)變換和尺寸變化。它鋪平了可控生長參數(shù)CVD法的發(fā)展道路,為調(diào)諧MoS_2納米棒的形態(tài)演化開辟了新的道路。我們描述了使用化學(xué)氣相沉積(CVD)單一步驟路線的方法合成二硫化鉬納米線。通過調(diào)整CVD生長參數(shù),在水平方向上的SiO2/Si基底上二硫化鉬納米線可成功的合成。該二硫化鉬納米線具有約93 nm的寬以及高約402 nm的多層結(jié)構(gòu)�？梢杂^察到水平生長的二硫化鉬納米線具有良好的局部光致發(fā)光(PL)特性。成功的制造水平的MoS_2納米線和突出的PL效果,在平面器件提供了潛在應(yīng)用。
【關(guān)鍵詞】：CVD方法 二硫化鉬納米棒/線 形貌 光學(xué)性能
【學(xué)位授予單位】：江西師范大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號(hào)】：TQ136.12;TB383.1
【目錄】：

• 摘要3-4
• Abstract4-6
• 第一章 緒論6-15
• 1.1 引言6-7
• 1.2 MoS_2納米結(jié)構(gòu)的應(yīng)用研究進(jìn)展7-8
• 1.2.1 光電器件的研究7-8
• 1.2.2 在傳感器方面的應(yīng)用8
• 1.3 MoS_2納米結(jié)構(gòu)的制備方法8-11
• 1.3.1 物理機(jī)械剝離法9
• 1.3.2 鋰離子插層法9-10
• 1.3.3 熱分解法10
• 1.3.4 化學(xué)氣相沉積法10-11
• 1.4 一維納米材料的應(yīng)用11
• 1.5 本文章的研究思路和主要內(nèi)容11-12
• 參考文獻(xiàn)12-15
• 第二章 一維二硫化鉬納米材料的制備方法與結(jié)構(gòu)表征15-21
• 2.1 一維二硫化鉬納米材料的制備方法15-16
• 2.2 一維二硫化鉬納米材料的表征方法16-20
• 2.2.1 光學(xué)顯微鏡(OM)16
• 2.2.2 原子力顯微鏡(AFM)16-18
• 2.2.3 X射線衍射(XRD)18
• 2.2.4 拉曼光譜儀18-20
• 參考文獻(xiàn)20-21
• 第三章 水平生長的二硫化鉬納米線的制備及其性質(zhì)21-28
• 3.1 引言21
• 3.2 實(shí)驗(yàn)21-22
• 3.3 結(jié)果與討論22-24
• 3.4 本章小結(jié)24-26
• 參考文獻(xiàn)26-28
• 第四章 二硫化鉬納米棒生長過程中的形貌演變28-36
• 4.1 引言28
• 4.2 實(shí)驗(yàn)28-29
• 4.3 結(jié)果與討論29-33
• 4.4 本章小結(jié)33-34
• 參考文獻(xiàn)34-36
• 結(jié)論36-37
• 致謝37-38
• 在讀期間公開發(fā)表論文（著）及科研情況38

【參考文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 湯鵬;肖堅(jiān)堅(jiān);鄭超;王石;陳潤鋒;;類石墨烯二硫化鉬及其在光電子器件上的應(yīng)用[J];物理化學(xué)學(xué)報(bào);2013年04期

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本文編號(hào)：1132227