本文關(guān)鍵詞：硫酸鈣晶須表面包覆二氧化硅的制備及機(jī)理分析

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【摘要】：研究了以硅酸鈉為硅源,采用液相沉積法在硫酸鈣晶須表面包覆致密二氧化硅納米膜對(duì)硫酸鈣晶須進(jìn)行無機(jī)改性。通過掃描電鏡(SEM)、X射線衍射(XRD)、傅里葉紅外光譜儀(FT-IR)等檢測(cè)手段,對(duì)包覆二氧化硅的硫酸鈣晶須的形貌及包覆機(jī)理進(jìn)行了分析。結(jié)果表明,在反應(yīng)溫度為90℃、反應(yīng)液p H為9條件下,可以得到二氧化硅致密包覆膜,包覆后的硫酸鈣晶須可顯著提高ζ電位;將該材料應(yīng)用于三元乙丙橡膠(EPDM)/聚丙烯(PP)熱塑性彈性體中,可有效改善晶須在熱塑性彈性體中的分散程度。
【作者單位】： 四川大學(xué)化學(xué)工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 硫酸鈣晶須 二氧化硅 包覆改性 分散性
【分類號(hào)】：TQ132.32
【正文快照】： 硫酸鈣晶須(CSW)生產(chǎn)原料來源豐富,且晶須橫截面均勻、外形完整、內(nèi)部結(jié)構(gòu)高度完善、直徑小[1-2],是一種價(jià)格低廉、性能優(yōu)良的補(bǔ)強(qiáng)性填料,廣泛應(yīng)用于橡膠、塑料、涂料等行業(yè)[3-4]。筆者在前期工作中探究了水熱法對(duì)CSW生長條件的影響,制備了長徑比大、白度高的CSW[5-7]。由于CS

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本文編號(hào)：1029673