發(fā)布時(shí)間：2020-12-13 13:37

　　犧牲陽(yáng)極陰極保護(hù)法發(fā)展至今已經(jīng)有近200年的歷史，隨著應(yīng)用領(lǐng)域的拓展，適用于各種特殊環(huán)境要求的犧牲陽(yáng)極的研發(fā)不斷開(kāi)展。目前，國(guó)內(nèi)外用于保護(hù)高強(qiáng)鋼的犧牲陽(yáng)極和適用在油污海水中保護(hù)碳鋼的犧牲陽(yáng)極均有研究，但針對(duì)像艦船壓載水倉(cāng)、甲板艙等油污富集區(qū)域高強(qiáng)鋼保護(hù)的犧牲陽(yáng)極研究幾乎沒(méi)有，因此研制出適用于該環(huán)境的犧牲陽(yáng)極有一定的意義。本文參考目前相關(guān)領(lǐng)域已取得的研究成果，采用Al-Zn-In-Bi-Si-Ce六元陽(yáng)極體系，通過(guò)恒流犧牲陽(yáng)極電化學(xué)性能試驗(yàn)，結(jié)合極化曲線(xiàn)、交流阻抗等電化學(xué)研究方法，輔以SEM、宏觀金相觀察和EDS分析，研究合金元素作用機(jī)理。對(duì)正交設(shè)計(jì)的16組陽(yáng)極配方，以電流效率為指標(biāo)，極差分析篩選最優(yōu)。對(duì)優(yōu)選和隨機(jī)選取的兩種配方分別采用4種熱處理工藝，從電化學(xué)性能和合金組織結(jié)構(gòu)兩方面分析熱處理對(duì)陽(yáng)極性能的影響。結(jié)果表明：該合金體系中元素Si<0.4%、Ce<0.3%時(shí)，有細(xì)化晶粒的作用。Si過(guò)量，易造成析氫腐蝕。Ce添加量達(dá)到0.5%時(shí)，會(huì)導(dǎo)致腐蝕產(chǎn)物粘附，阻礙陽(yáng)極溶解。Bi添加量在0.4%時(shí)，可使合金溶解均勻，過(guò)量添加則導(dǎo)致點(diǎn)蝕影響溶解均勻性；Zn元素添加量在2%以?xún)?nèi)時(shí)，隨... 

【文章來(lái)源】：中國(guó)海洋大學(xué)山東省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：79 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

材料平面缺陷與KISCC的關(guān)系

圖 1-4 陰極保護(hù)電位對(duì) HY130 高強(qiáng)鋼 KISCC 的影響從上圖不難看出，當(dāng)電位從-0.7V 變化到 -1.0V(Ag/AgCl)時(shí)，KISC低了。有的 HY130 焊接金屬甚至 KISCC＜60MPa.m1/2。KISCC 這一大的意義，因?yàn)樗苯优c圖 1-5 中給出的焊接處缺陷尺寸公式相關(guān)聯(lián)圖 1-5 材料平面缺陷與 KISCC 的關(guān)系關(guān)系式1/2KISCC = α σ (π a)()1/2MPa m

圖 3-1 不同 Si 含量的陽(yáng)極極化曲線(xiàn)從極化曲線(xiàn)可以看出，含 Si 量高的 1#試樣陽(yáng)極極化傾向較大，電極反應(yīng)進(jìn)行較困難。2#和 5#極化曲線(xiàn)比較相似，陽(yáng)極極化傾向較小，陽(yáng)極極化區(qū)電流密度隨電位變正而迅速增加，電極反應(yīng)進(jìn)行順利；2#試樣電位在-1.2V~ -1.1V 時(shí)存在輕微的鈍化現(xiàn)象，說(shuō)明出現(xiàn)了孔蝕，應(yīng)為偏析相位置氧化膜被擊穿所致�？傮w來(lái)看，隨著 Si 含量的提高，自腐蝕電流減小，活化趨勢(shì)變大，“第二相優(yōu)先溶解”活化機(jī)理表現(xiàn)漸顯著，原因應(yīng)為隨偏析相數(shù)量的增加，點(diǎn)蝕發(fā)生的概率增大所致。同時(shí)隨著 Si 含量的增加，電位呈現(xiàn)出正向的變化。（1） Si 含量對(duì)陽(yáng)極表面溶解狀況的影響1#、2#、5#陽(yáng)極恒流實(shí)驗(yàn)后的 SEM 照片見(jiàn)圖 3.2。

【參考文獻(xiàn)】：
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博士論文
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碩士論文
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