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高真空金屬單晶體生長(zhǎng)爐設(shè)計(jì)與研究

發(fā)布時(shí)間:2017-09-27 13:41

  本文關(guān)鍵詞:高真空金屬單晶體生長(zhǎng)爐設(shè)計(jì)與研究


  更多相關(guān)文章: 金屬單晶體 晶體生長(zhǎng)爐 有限元熱分析 溫度控制系統(tǒng)


【摘要】:近年來,隨著信息科技的發(fā)展,電線電纜的傳輸導(dǎo)線也不斷的發(fā)展,其用量不斷的增多,而且對(duì)其性能要求也越來越高。單晶體銅由于具有較強(qiáng)消除橫向晶界的能力,并且擁有良好的保真性能和塑性,所以是作為超細(xì)高保真材料的首選材料。高真空固態(tài)相變法金屬單晶體生長(zhǎng)爐的主要作用是:將銅試件從高溫的固態(tài)相緩慢而均勻的相變到低溫固態(tài)相,從而獲得低溫固態(tài)相的金屬單晶銅。因此,金屬單晶體生長(zhǎng)爐內(nèi)的溫度梯度和銅試件的移動(dòng)速度是設(shè)計(jì)單晶體生長(zhǎng)爐的技術(shù)關(guān)鍵點(diǎn)。首先,本文對(duì)高真空金屬單晶體生長(zhǎng)爐進(jìn)行了整體的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)包括生長(zhǎng)爐膛結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、試件移動(dòng)機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)和真空室設(shè)計(jì)三大部分。在單晶體生長(zhǎng)爐的爐膛結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中,提出了爐膛的保溫層采用4層鉬和4層不銹鋼的結(jié)構(gòu)。在試件移動(dòng)機(jī)構(gòu)的設(shè)計(jì)中,采用螺旋傳動(dòng)來實(shí)現(xiàn)試件垂直方向上的往復(fù)直線移動(dòng)。根據(jù)真空容器的穩(wěn)態(tài)條件計(jì)算了真空室的厚度,并確定真空室的材料、冷卻方式和結(jié)構(gòu)形式。其次,應(yīng)用有限元軟件中的熱分析模塊,對(duì)生長(zhǎng)爐的爐膛進(jìn)行熱分析。建立生長(zhǎng)爐的三維模型,利用有限元分析軟件ANSYS workbench,根據(jù)真空加熱系統(tǒng)的工作情況,對(duì)生長(zhǎng)爐的爐腔進(jìn)行有限元熱分析,得出了在穩(wěn)定條件下生長(zhǎng)爐爐腔的穩(wěn)態(tài)溫度分布云圖,并對(duì)不同材料的生長(zhǎng)爐膛進(jìn)行對(duì)比分析。最后結(jié)合溫度場(chǎng)的分析結(jié)果,對(duì)生長(zhǎng)爐膛的結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)。最后,對(duì)生長(zhǎng)爐的溫度控制系統(tǒng)進(jìn)行PLC設(shè)計(jì)。通過PLC軟件對(duì)上生長(zhǎng)爐和下生長(zhǎng)爐的加熱步驟進(jìn)行編程,依據(jù)生長(zhǎng)爐的加熱條件和加熱方式,選取合理的加熱絲材料作為加熱元件。
【關(guān)鍵詞】:金屬單晶體 晶體生長(zhǎng)爐 有限元熱分析 溫度控制系統(tǒng)
【學(xué)位授予單位】:沈陽大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類號(hào)】:TK175
【目錄】:
  • 摘要5-6
  • Abstract6-11
  • 第1章 緒論11-20
  • 1.1 課題的來源及研究背景和目的11-12
  • 1.1.1 課題的來源11
  • 1.1.2 課題的背景11-12
  • 1.1.3 研究目的12
  • 1.2 高真空金屬單晶體生長(zhǎng)爐的概述12
  • 1.3 高真空金屬單晶體生長(zhǎng)爐的國內(nèi)外研究現(xiàn)狀12-16
  • 1.3.1 國外的研究現(xiàn)狀13-15
  • 1.3.2 國內(nèi)的研究現(xiàn)狀15-16
  • 1.4 金屬晶體的生長(zhǎng)方法16-18
  • 1.5 主要研究?jī)?nèi)容18-19
  • 1.6 本章小結(jié)19-20
  • 第2章 高真空金屬單晶體生長(zhǎng)爐的整體設(shè)計(jì)20-36
  • 2.1 高真空金屬單晶體生長(zhǎng)設(shè)備概述20
  • 2.2 生長(zhǎng)爐總體設(shè)計(jì)20-23
  • 2.2.1 生長(zhǎng)爐的設(shè)計(jì)要求20-21
  • 2.2.2 生長(zhǎng)爐設(shè)計(jì)依據(jù)21
  • 2.2.3 設(shè)計(jì)參數(shù)21-22
  • 2.2.4 生長(zhǎng)爐的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)22-23
  • 2.3 試件移動(dòng)機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)23-28
  • 2.3.1 移動(dòng)機(jī)構(gòu)的電機(jī)選擇24-26
  • 2.3.2 移動(dòng)機(jī)構(gòu)的傳動(dòng)零件計(jì)算26-28
  • 2.4 真空系統(tǒng)設(shè)計(jì)28-35
  • 2.4.1 真空室的設(shè)計(jì)要求28-29
  • 2.4.2 真空室的結(jié)構(gòu)29-31
  • 2.4.3 真空室材料的選擇31-32
  • 2.4.4 真空泵的選擇32-33
  • 2.4.5 冷卻系統(tǒng)33-34
  • 2.4.6 氬氣保護(hù)系統(tǒng)34-35
  • 2.5 本章小結(jié)35-36
  • 第3章 生長(zhǎng)爐熱分析的理論基礎(chǔ)36-49
  • 3.1 有限元法與有限元軟件36-39
  • 3.1.1 有限元法36-38
  • 3.1.2 有限元軟件ANSYS Workbench的介紹38-39
  • 3.2 熱分析模塊39-44
  • 3.2.1 熱傳導(dǎo)方式的數(shù)學(xué)方程39-42
  • 3.2.2 載荷處理42-44
  • 3.3 熱應(yīng)力的理論基礎(chǔ)44-48
  • 3.3.1 熱彈性理論的數(shù)學(xué)方程44-46
  • 3.3.2 熱應(yīng)力的求解方程46-48
  • 3.4 本章小結(jié)48-49
  • 第4章 單晶體生長(zhǎng)爐的熱分析與研究49-59
  • 4.1 生長(zhǎng)爐三維模型的建立49-51
  • 4.2 生長(zhǎng)爐有限元模型的建立51-52
  • 4.2.1 有限元建模的準(zhǔn)則51
  • 4.2.2 網(wǎng)格劃分51-52
  • 4.3 單晶體生長(zhǎng)爐的熱分析52-56
  • 4.3.1 單晶體生長(zhǎng)爐的熱分析目的52-53
  • 4.3.2 基于workbench的生長(zhǎng)爐溫度場(chǎng)分析53-56
  • 4.4 生長(zhǎng)爐結(jié)構(gòu)改進(jìn)設(shè)計(jì)56-58
  • 4.5 本章小結(jié)58-59
  • 第5章 生長(zhǎng)爐的溫度控制系統(tǒng)59-67
  • 5.1 控制系統(tǒng)工作原理及作用59-60
  • 5.2 PLC控制設(shè)計(jì)60-65
  • 5.2.1 PLC軟件介紹60-61
  • 5.2.2 PID控制算法61-62
  • 5.2.3 PLC溫度控制設(shè)計(jì)62-65
  • 5.3 加熱元件65-66
  • 5.4 本章小結(jié)66-67
  • 第6章 結(jié)論67-68
  • 參考文獻(xiàn)68-70
  • 在學(xué)期間研究成果70-71
  • 致謝71-72

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本文編號(hào):930032

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