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硅納米籠和氮化碳分子晶體的熱電輸運參數(shù)計算

發(fā)布時間:2020-06-21 16:13
【摘要】:近年來,化石燃料的消耗與日俱增,造成大量污染和能源短缺。其中,化石燃料產(chǎn)生的大部分能量以廢熱的形式耗散,所以回收余熱十分關(guān)鍵。熱電材料能利用低品位的熱能發(fā)電,近來研究方興未艾。熱電材料的工作效率由熱電優(yōu)值ZT衡量,ZT等于功率因子與熱導(dǎo)率之比。構(gòu)造具有低維結(jié)構(gòu)的納米材料一方面能夠引入聲子的界面散射,另一方面能夠利用聲子的局域共振效應(yīng),從而降低材料的熱導(dǎo)率,提高熱電優(yōu)值。此外,低維結(jié)構(gòu)可改變電子態(tài)密度分布,對提升功率因子也大有裨益。因此,本文提出利用硅納米籠結(jié)構(gòu)同時實現(xiàn)熱導(dǎo)率的降低和塞貝克系數(shù)的提升。一方面,聲子的局域共振效應(yīng)令硅納米籠的熱導(dǎo)率比尺寸接近的硅納米線還要低。另一方面,硅納米籠結(jié)構(gòu)迫使電子沿相鄰納米結(jié)之間的納米線傳輸,令態(tài)密度分布出現(xiàn)了類似于納米線結(jié)構(gòu)的尖峰,提升了塞貝克系數(shù)。此外,硅納米籠是具備納米結(jié)構(gòu)的體塊材料,比硅納米線更有應(yīng)用價值。運用第一性原理和玻爾茲曼輸運方程,我們研究了硅納米籠的能帶結(jié)構(gòu)及其在室溫下的熱電輸運參數(shù),發(fā)現(xiàn)ZT最大值為0.96,該結(jié)果表明硅納米籠在熱電應(yīng)用上具備非常大的潛力。除了硅納米籠結(jié)構(gòu),體塊材料中的低維電子輸運同樣有助于提高熱電優(yōu)值,因此本文提出利用氮化碳分子晶體的層間電荷耦合來獲取高熱電性能。結(jié)合第一性原理和玻爾茲曼輸運方程,我們計算了氮化碳分子晶體的能帶結(jié)構(gòu)及其在室溫下的熱電輸運參數(shù),發(fā)現(xiàn)ZT最大值為0.52。通過對比氮化碳分子晶體及其異構(gòu)物的電荷分布,我們深入探討了低維電輸運提升有機半導(dǎo)體熱電輸運參數(shù)的機理,并且發(fā)現(xiàn)其低維電荷輸運特性應(yīng)歸功于較強的層間p_z軌道耦合和層內(nèi)的p_z軌道離散分布。
【學(xué)位授予單位】:華中科技大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類號】:TB383.1;TK115
【圖文】:

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電能的途徑[1],原理如圖1-1所示。受溫差驅(qū)動,電荷從熱端流向冷端,形成電勢差。如果將p、n半導(dǎo)體連成回路,則可以產(chǎn)生電流。反之,外加電場迫使電荷從冷端向熱端運動,則可以將電能轉(zhuǎn)化為制冷量。圖1-1 溫差發(fā)電示意圖[2]。熱電優(yōu)值ZT是衡量熱電轉(zhuǎn)換效率的基準(zhǔn),如果熱電材料的ZT能夠達到3以上[3],便在經(jīng)濟效益上代替化石燃料的可能性。熱電優(yōu)值的的表達式為[4]: = 2 ( ) (1-1)式中(1-1) 、 、 、 和 分別為電導(dǎo)率、塞貝克系數(shù)、溫度、電子熱導(dǎo)率和聲子熱導(dǎo)率。很顯然,提高ZT的途徑就是盡可能降低熱導(dǎo)率同時提高電導(dǎo)率和塞貝克系數(shù)。然而,塞貝克系數(shù)和電導(dǎo)率隨載流子濃度變化的趨勢恰好相反,一般而言,當(dāng)載流子濃度位于1019至1021cm-3區(qū)間內(nèi)

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1.2 熱電材料研究進展1.2.1 概述圖1-2較為形象地描述了1940年至今的熱電材料研究進展。圖1-2 熱電材料的發(fā)展趨勢[5]。最初受到關(guān)注的熱電材料是碲化鉍(Bi2Te3)、碲化銻(Sb2Te3)、硒化鉍(Bi2Se3)和(Sb0.8Bi0.2)2Te3等,對這些材料摻雜可以略微降低導(dǎo)帶展寬,在盡量不影響其他參數(shù)的前提下提高有效電子質(zhì)量,進而提高塞貝克系數(shù)。然而因為此舉同時降低了電導(dǎo)率和電子熱導(dǎo)率,考慮到各參數(shù)之間的競爭,這類固體材料潛力有限,ZT提升至1以后的很長時間都沒能繼續(xù)突破。1990年后,納米技術(shù)的進展為熱電材料的研究帶來新的技術(shù)手

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本文編號:2724314

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