硅納米籠和氮化碳分子晶體的熱電輸運參數(shù)計算
【學(xué)位授予單位】:華中科技大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類號】:TB383.1;TK115
【圖文】:
電能的途徑[1],原理如圖1-1所示。受溫差驅(qū)動,電荷從熱端流向冷端,形成電勢差。如果將p、n半導(dǎo)體連成回路,則可以產(chǎn)生電流。反之,外加電場迫使電荷從冷端向熱端運動,則可以將電能轉(zhuǎn)化為制冷量。圖1-1 溫差發(fā)電示意圖[2]。熱電優(yōu)值ZT是衡量熱電轉(zhuǎn)換效率的基準(zhǔn),如果熱電材料的ZT能夠達到3以上[3],便在經(jīng)濟效益上代替化石燃料的可能性。熱電優(yōu)值的的表達式為[4]: = 2 ( ) (1-1)式中(1-1) 、 、 、 和 分別為電導(dǎo)率、塞貝克系數(shù)、溫度、電子熱導(dǎo)率和聲子熱導(dǎo)率。很顯然,提高ZT的途徑就是盡可能降低熱導(dǎo)率同時提高電導(dǎo)率和塞貝克系數(shù)。然而,塞貝克系數(shù)和電導(dǎo)率隨載流子濃度變化的趨勢恰好相反,一般而言,當(dāng)載流子濃度位于1019至1021cm-3區(qū)間內(nèi)
1.2 熱電材料研究進展1.2.1 概述圖1-2較為形象地描述了1940年至今的熱電材料研究進展。圖1-2 熱電材料的發(fā)展趨勢[5]。最初受到關(guān)注的熱電材料是碲化鉍(Bi2Te3)、碲化銻(Sb2Te3)、硒化鉍(Bi2Se3)和(Sb0.8Bi0.2)2Te3等,對這些材料摻雜可以略微降低導(dǎo)帶展寬,在盡量不影響其他參數(shù)的前提下提高有效電子質(zhì)量,進而提高塞貝克系數(shù)。然而因為此舉同時降低了電導(dǎo)率和電子熱導(dǎo)率,考慮到各參數(shù)之間的競爭,這類固體材料潛力有限,ZT提升至1以后的很長時間都沒能繼續(xù)突破。1990年后,納米技術(shù)的進展為熱電材料的研究帶來新的技術(shù)手
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本文編號:2724314
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