本文關(guān)鍵詞：陣列側(cè)向測(cè)井儀器響應(yīng)的三維數(shù)值模擬，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：隨著石油行業(yè)的不斷發(fā)展,對(duì)于地層屬性的測(cè)量的效果與精度要求越來越高,在要求高精度的同時(shí),還需要對(duì)一定厚度的薄層有所反應(yīng),同時(shí)在石油開發(fā)過程中,有一部分復(fù)雜地層需要對(duì)更多地層參數(shù),因此陣列側(cè)向測(cè)井符合如今人們對(duì)測(cè)井響應(yīng)研究的需要。本文通過有限元數(shù)值分析的方法,對(duì)陣列側(cè)向測(cè)井儀器在直井及斜井中的一些影響因素進(jìn)行分析。以有限元方法的理論為依據(jù),結(jié)合陣列側(cè)向測(cè)井的基本原理和儀器設(shè)計(jì),運(yùn)用建模軟件,建立了不同情況下陣列側(cè)向測(cè)井三維正演模型,通過對(duì)電磁場(chǎng)理論的應(yīng)用及網(wǎng)格剖分原則的結(jié)合,對(duì)每個(gè)模型進(jìn)行網(wǎng)格剖分,在模型中加入邊界條件,計(jì)算不同地層條件和井眼環(huán)境中陣列側(cè)向的全部工作模式下的電極系的電位值。由于幾種工作模式下的邊界條件不同,因此每種模型對(duì)每種工作模式的分析都需要重新進(jìn)行邊界條件設(shè)定,由計(jì)算得到每種工作模式下的每種模型的多電極系的電位值和視電阻率的值分析儀器的響應(yīng)特性。在直井中,由于井眼條件、泥漿侵入情況和地層厚度對(duì)于陣列側(cè)向測(cè)井的測(cè)量結(jié)果會(huì)產(chǎn)生影響,因此運(yùn)用有限元的方法對(duì)不同情況的模型進(jìn)行了正演計(jì)算。井眼條件中的井眼半徑越小,泥漿電阻率越接近地層真實(shí)電阻率的情況下,陣列側(cè)向測(cè)井的響應(yīng)所求得的視電阻率越接近地層真實(shí)地層電阻率。當(dāng)儀器在井眼中的偏心距變大的情況下,雖然視電阻率有變大的趨勢(shì),但是不明顯。當(dāng)泥漿侵入對(duì)于陣列側(cè)向的不同探測(cè)深度的視電阻率值的影響是呈階梯狀變化的,越淺的工作模式由于泥漿侵入所造成的影響越大,越早趨近于泥漿電阻率。當(dāng)?shù)貙雍穸仍诖笥?.5m情況下,受到圍巖影響較小。數(shù)值模擬分析了電極系的尺寸對(duì)陣列側(cè)向測(cè)井視電阻率測(cè)量的影響,有利于選擇較為合適的電極尺寸。在均勻介質(zhì)的情況下,隨著電極尺寸的增大會(huì)使得視電阻率的值越接近于目標(biāo)層的真實(shí)電阻率；在多層介質(zhì)的情況下,當(dāng)電極尺寸的增大,儀器本身的尺寸也會(huì)增大,因此儀器對(duì)于薄層的敏感度會(huì)下降。與直井相比較,由于井斜角度的產(chǎn)生,因此對(duì)于陣列側(cè)向測(cè)井的影響因素在兩種不同井中的影響可能是不同的。通過有限元計(jì)算分析可以發(fā)現(xiàn),目的層的層厚與泥漿侵入對(duì)陣列側(cè)向的響應(yīng)的影響與直徑情況下很相近,而井斜角度只對(duì)探測(cè)深度最深的RAL5產(chǎn)生較小的影響。
【關(guān)鍵詞】：陣列側(cè)向測(cè)井 三維有限元數(shù)值分析 直井 斜井 視電阻率
【學(xué)位授予單位】：長(zhǎng)江大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號(hào)】：P631.81
【目錄】：

• 摘要4-5
• Abstract5-8
• 第1章 緒論8-14
• 1.1 課題的研究意義8-9
• 1.2 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀分析9-12
• 1.3 研究?jī)?nèi)容12-13
• 1.4 研究路線與研究方法13-14
• 第2章 陣列側(cè)向測(cè)井原理14-21
• 2.1 陣列側(cè)向測(cè)井的基本設(shè)計(jì)思想14-16
• 2.2 陣列側(cè)向測(cè)井儀器的結(jié)構(gòu)16-17
• 2.3 陣列側(cè)向的工作模式17-21
• 第3章 陣列側(cè)向的有限元數(shù)值算法及其實(shí)現(xiàn)21-29
• 3.1 有限元方法簡(jiǎn)述21
• 3.2 有限元方法的基本步驟21-24
• 3.3 陣列側(cè)向有限元實(shí)現(xiàn)24-29
• 第4章 直井中的陣列側(cè)向三維數(shù)值模擬29-46
• 4.1 直井中的數(shù)理模型30-33
• 4.2 直井中陣列側(cè)向測(cè)井正演響應(yīng)分析33-41
• 4.3 電極尺寸對(duì)于陣列側(cè)向測(cè)量的影響41-46
• 第5章 斜井中的陣列側(cè)向三維數(shù)值模擬46-52
• 5.1 模型建立46-47
• 5.2 斜井中陣列側(cè)向測(cè)井正演響應(yīng)分析47-52
• 第6章 結(jié)論52-53
• 致謝53-54
• 參考文獻(xiàn)54-57
• 個(gè)人簡(jiǎn)介57-58

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本文編號(hào)：427585