【摘要】：瞬變電磁法在有低阻層覆蓋的地區(qū)進(jìn)行勘探時(shí),低阻屏蔽效應(yīng)會影響瞬變電磁法的勘探深度,導(dǎo)致晚期資料的信噪比下降。因此,本文針對全空間條件下存在低阻屏蔽時(shí)陷落柱的瞬變電磁響應(yīng)特征,圍繞數(shù)值模擬和物理模擬兩個(gè)方面開展研究。在全空間條件下對目標(biāo)體(含水陷落柱)在被低阻層覆蓋的情形進(jìn)行數(shù)值模擬,研究受低阻屏蔽影響的隱蔽致災(zāi)水源(含水陷落柱)的瞬變電磁響應(yīng)特征。在數(shù)值模擬中,分別改變線圈與低阻層的距離、目標(biāo)體的規(guī)模和埋深,研究此時(shí)目標(biāo)體的瞬變電磁響應(yīng)特征,聯(lián)系之前的數(shù)值模擬,總結(jié)低阻屏蔽造成的延時(shí)效應(yīng)的規(guī)律;根據(jù)數(shù)值模擬的內(nèi)容,在全空間條件下進(jìn)行物理模擬實(shí)驗(yàn)。把實(shí)驗(yàn)結(jié)果與數(shù)值模擬得到的響應(yīng)特征對比分析,發(fā)現(xiàn)上方進(jìn)行探測時(shí),整體都是單峰異常的曲線形態(tài)。銅棒的大小對曲線極值產(chǎn)生影響,線圈與鋁板的距離增大會使曲線形態(tài)變得平緩,而銅棒與鋁板距離的改變并沒有對曲線的形態(tài)甚至極值產(chǎn)生明顯影響。由于低阻屏蔽的影響,瞬變電磁法在探測深度方向上存在低阻層時(shí),在感應(yīng)電位剖面圖上幾乎不能夠觀測到深層低阻體的響應(yīng)特征,只能根據(jù)響應(yīng)特征確定低阻層下方是否可能存在陷落柱,不能夠確認(rèn)其位置。側(cè)方進(jìn)行探測得到的感應(yīng)電位曲線圖均能發(fā)現(xiàn)鋁板導(dǎo)致的雙峰異常,且在曲線中能夠體現(xiàn)出銅棒的存在,并對應(yīng)其所在位置。銅棒的大小對響應(yīng)特征的影響能夠在感應(yīng)電位曲線上很好的反應(yīng)出來。瞬變電磁法在低阻層的側(cè)方即探測方向平行于低阻層時(shí),在感應(yīng)電位剖面圖上能夠觀測到深層低阻體的響應(yīng)特征,且能根據(jù)響應(yīng)特征確定低阻層下方是否可能存在陷落柱并確認(rèn)其位置。
【學(xué)位授予單位】：中國礦業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2018
【分類號】：P631.325
【圖文】：

射回線和接收回線構(gòu)成。它的工作過程有三回線中通以穩(wěn)定電流，當(dāng)切斷電流時(shí)，由電然變化會在其周圍產(chǎn)生磁場，這個(gè)磁場被稱擴(kuò)散的過程中，如果遇到地下導(dǎo)電的地質(zhì)體個(gè)感應(yīng)電流就叫做二次電流或渦流。因?yàn)榫蜁a(chǎn)生新的磁場，被稱為二次磁場。二次致按指數(shù)規(guī)律隨時(shí)間衰減，因?yàn)槎未艌鲋靼c礦體有關(guān)的地質(zhì)信息。通過測量化規(guī)律，可得到不同深度的地電特征,研究體的電性分布結(jié)構(gòu)及空間形態(tài)。磁率為 μ 的均勻各向同性大地表面鋪設(shè)面以階躍脈沖電流 I (t)， 000tItt

圖 2-3 瞬變電磁場的煙圈效應(yīng)moke ring effect of transient electromagn深度 d 的表達(dá)式分別為： 220r 8c t/ a0d 4 t/ 場時(shí)域有限差分 (Finite DDifference of Full Space Trc Field)程組可推導(dǎo)出無源擴(kuò)散方程[60]： 2 = 0 分中，通過網(wǎng)格離散化處理把空間

圖 3-1 模型示意圖Figure 3-1 Model schematic diagram勻全空間，用 COMSOL 進(jìn)行數(shù)值模擬0m 的長方體地電模型，電導(dǎo)率設(shè)為 0

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號：2773798