本文關(guān)鍵詞：瞬變電磁法解釋深度的研究

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【摘要】：本文首介紹了瞬變電磁法的發(fā)展現(xiàn)狀。分析了解釋深度還需進(jìn)一步研究的原因,論述了研究解釋深度的意義。然后介紹了瞬變電磁法基本原理及漢克爾變換的原理。用fortran編寫了求解漢克爾變換系數(shù)的代碼、用matlab編制瞬變電磁法正演及計(jì)算解釋深度的正演程序,計(jì)算了3組漢克爾變換系數(shù),分析了不同濾波系數(shù)的精確度以及改善精確度的方法。研究了瞬變電磁法的解釋深度與實(shí)際工作中發(fā)射及接收線圈邊長(zhǎng)、地電模型的層參數(shù)(中間層厚度及電阻率值)的之間關(guān)系。研究發(fā)現(xiàn),隨著發(fā)射框的增大,解釋深度也會(huì)增加,但最大解釋深度達(dá)到一定值以后,與線框的大小沒有關(guān)系了;中間層厚度越小,它產(chǎn)生的信號(hào)異常就越弱,采集到的數(shù)據(jù)就越難以分辨出信號(hào)異常,解釋深度就越小;隨著中間層厚度變大,產(chǎn)生的信號(hào)異常就越強(qiáng),解釋深度也越大。重點(diǎn)研究了漢克爾變換系數(shù)和解釋深度的關(guān)系。通過實(shí)例分析了漢克爾變換系數(shù)與解釋深度的關(guān)系。在第一層電阻率為200Ω?m,中間層電阻率40Ω?m,厚度為100m,第三層電阻率取200Ω?m,線圈邊長(zhǎng)為100m的情況下,用283點(diǎn)的漢克爾變換系數(shù),解釋深度可以達(dá)1300m;用140點(diǎn)的系數(shù)解釋深度可以達(dá)2000m;120點(diǎn)系數(shù)的解釋深度可達(dá)1750m,在大部分情況下精度良好。
【關(guān)鍵詞】：瞬變電磁法 正演模擬 解釋深度 快速漢克爾變換 濾波系數(shù)
【學(xué)位授予單位】：東華理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號(hào)】：P631.325
【目錄】：

• 摘要4-5
• Abstract5-9
• 1.緒論9-14
• 1.1 國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀9-10
• 1.2 瞬變電磁法各種探測(cè)深度的研究現(xiàn)狀10-12
• 1.2.1 最小探測(cè)深度的定義10-11
• 1.2.2 最大探測(cè)深度的定義11
• 1.2.3 研究深度的定義11
• 1.2.4 理論探測(cè)深度的定義11-12
• 1.2.5 理論解釋深度的定義12
• 1.3 選題的目的和意義12-13
• 1.4 研究的主要內(nèi)容及創(chuàng)新點(diǎn)13
• 1.5 本章小結(jié)13-14
• 2.瞬變電磁法的優(yōu)點(diǎn)和正演公式的推導(dǎo)14-35
• 2.1 瞬變電磁法的優(yōu)點(diǎn)14-15
• 2.2 瞬變電磁法正演公式的推導(dǎo)15-17
• 2.3 快速漢克爾變換基本原理17-24
• 2.3.1 數(shù)字線性濾波原理17-18
• 2.3.2 快速漢克爾基本理論18-21
• 2.3.3 漢克爾濾波系數(shù)權(quán)值的求法21-22
• 2.3.4 漢克爾系數(shù)的算法精度研究22-24
• 2.4 計(jì)算漢克爾變換濾波系數(shù)的程序24-27
• 2.4.1 公式的計(jì)算24
• 2.4.2 提高精度的方法24-25
• 2.4.3 振蕩收斂性的研究25-26
• 2.4.4 參數(shù)M和N的調(diào)試研究26-27
• 2.4.5 程序框圖及程序27
• 2.5 漢克爾變換濾波系數(shù)的精確度比較和改善的方法27-33
• 2.5.1 幾種濾波系數(shù)的精確度比較27-30
• 2.5.2 自適應(yīng)計(jì)算30-31
• 2.5.3 相關(guān)核函數(shù)的求取方法31
• 2.5.4 計(jì)算結(jié)構(gòu)的比較研究31-33
• 2.6 本章小結(jié)33-35
• 3.理論解釋深度的具體分析和曲線震蕩問題35-39
• 3.1 理論解釋深度的具體分析35-36
• 3.2 曲線震蕩的原因36
• 3.3 曲線震蕩的緩解方法36-37
• 3.4 本章小結(jié)37-39
• 4.影響瞬變電磁法解釋深度的因素分析39-46
• 4.1 線圈邊長(zhǎng)對(duì)理論解釋深度的影響39
• 4.2 中間層厚度對(duì)理論解釋深度的影響39-40
• 4.3 電流（采集到的數(shù)據(jù)單位是uv/A）對(duì)理論解釋深度的影響40
• 4.4 中間層電阻率對(duì)理論解釋深度的影響40
• 4.5 漢克爾變換系數(shù)對(duì)理論解釋深度的影響40-45
• 4.6 本章小結(jié)45-46
• 5.結(jié)論46-48
• 參考文獻(xiàn)48-52
• 附錄 1：計(jì)算快速漢克爾變換系數(shù)的程序52-58
• 附錄 2：瞬變電磁法正演部分matlab代碼58-59

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

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