TOF-SIMS分析測試技術研究
本文關鍵詞:TOF-SIMS分析測試技術研究
更多相關文章: 飛行時間二次離子質(zhì)譜 數(shù)據(jù)分析軟件 銅同位素 邊緣效應 數(shù)據(jù)處理
【摘要】:飛行時間二次離子質(zhì)譜法(Time of Flight Secondary ion mass spectroscopy簡稱TOF-SIMS)是一種微區(qū)表面分析方法,已經(jīng)應用于生物學、材料學等眾多領域。本論文依托于國家重大科學儀器設備開發(fā)專項項目《同位素地質(zhì)學專用TOF-SIMS科學儀器》,項目研制的儀器將應用于地質(zhì)穩(wěn)定同位素和稀土元素分析。當前,部分實驗儀器已經(jīng)搭建完畢,需要對這些儀器性能進行測試,在測試過程中需要對數(shù)據(jù)進行處理和分析。因此本論文對數(shù)據(jù)處理算法的研究和數(shù)據(jù)分析軟件的開發(fā)以滿足儀器測試實驗過程中對數(shù)據(jù)分析的需求,TOF-SIMS銅同位素分析研究測試了儀器性能,以滿足項目的需要,TOF-SIMS稀土元素分析研究為儀器應用于稀土元素做前期準備性工作。首先為了對后續(xù)實驗中數(shù)據(jù)處理與分析,研究了TOF-SIMS數(shù)據(jù)處理算法和開發(fā)了數(shù)據(jù)分析軟件。根據(jù)TOF-SIMS原理,采用曲線擬合方式實現(xiàn)了質(zhì)量數(shù)標定;將連續(xù)小波變換尋峰方法運用于TOF-SIMS尋峰中并對該方法進行了改進,結合了峰形特點計算出了連續(xù)小波變換的尺度參數(shù),再利用該尺度參數(shù)進行譜峰識別,實現(xiàn)了TOF-SIMS快速準確的尋峰;根據(jù)TOF-SIMS譜峰的特點,利用高斯擬合的方式進行峰信息提取;對比了多種平滑濾波算法去噪效果,選擇了小波變換閾值法進行數(shù)據(jù)去噪。根據(jù)實驗人員的功能需求和業(yè)務的邏輯流程,采用MVC架構對數(shù)據(jù)分析軟件進行設計,將數(shù)據(jù)分析軟件結構分為視圖、控制、模型三部分。在模型部分的設計中,由于數(shù)據(jù)是模型部分的核心,將模型部分分為四個模塊:數(shù)據(jù)處理、數(shù)據(jù)分析、文件操作和數(shù)據(jù),對各個模塊進行了開發(fā)。在視圖部分,通過平臺中控件對數(shù)據(jù)進行譜圖顯示,并提供了多種觀察譜圖的工具。在控制部分通過平臺中各控件的事件屬性實現(xiàn)分配響應的功能。通過對數(shù)據(jù)處理算法和數(shù)據(jù)分析軟件的開發(fā),滿足了實驗中需要對數(shù)據(jù)分析的要求,實現(xiàn)了TOF-SIMS定性和定量分析。利用TOF-SIMS儀器對銅同位素進行了分析和利用SHRIMP儀器研究了邊緣效應。首先利用項目中搭建的儀器對樣品進行分析,利用本論文的數(shù)據(jù)分析軟件對數(shù)據(jù)處理和分析,計算了儀器在銅同位素分析中的分析誤差為0.2%至0.4%、標準偏差在0.018至0.029、相對標準偏差在3%左右,結果表明當前儀器對銅同位素的測試精度尚未達到MC-ICP-MS銅同位素分析水平,可能造成的原因一方面是儀器的原因,如重復性不佳;另一方面是同位素質(zhì)量分餾引起的。為了研究了銅同位素實驗中出現(xiàn)的邊緣效應,利用SHRIMP儀器對氧同位素分析,計算了實驗中邊緣效應對氧同位素比值測試精度影響的大小,利用SIMION軟件建立了二次離子部分結構的仿真模型,發(fā)現(xiàn)當樣品位置處于樣品靶邊緣時,樣品周圍的電場發(fā)生了畸變,由此引起了同位素質(zhì)量分餾,從而解釋了邊緣效應產(chǎn)生的原因。最后利用ION-TOF Gmb H公司的TOF-SIMS V儀器對玻璃樣品中的稀土元素進行了分析,對稀土元素豐度值進行了歸一化處理,結果表明TOF-SIMS儀器可以同時檢測出所有的微量稀土元素。但是稀土元素同位素相互之間的干擾較大,儀器質(zhì)量分辨率難以分開這些同位素,需要更高質(zhì)量分辨率的儀器進行測試。
【關鍵詞】:飛行時間二次離子質(zhì)譜 數(shù)據(jù)分析軟件 銅同位素 邊緣效應 數(shù)據(jù)處理
【學位授予單位】:吉林大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2016
【分類號】:O657.63;P597
【目錄】:
- 摘要4-6
- Abstract6-11
- 第1章 緒論11-14
- 1.1 研究背景11
- 1.2 研究意義11-12
- 1.3 研究現(xiàn)狀12
- 1.4 主要工作內(nèi)容12-14
- 第2章 TOF-SIMS數(shù)據(jù)處理算法研究14-26
- 2.1 引言14
- 2.2 質(zhì)量數(shù)標定14-17
- 2.2.1 質(zhì)量數(shù)標定理論基礎14-15
- 2.2.2 質(zhì)量數(shù)標定15-16
- 2.2.3 質(zhì)量數(shù)標定實驗16-17
- 2.3 譜峰識別17-21
- 2.3.1 連續(xù)小波變換尋峰原理17-18
- 2.3.2 尺度參數(shù)計算18-19
- 2.3.3 譜峰識別流程19-20
- 2.3.4 譜峰識別實驗20-21
- 2.4 峰特征信息提取21-22
- 2.5 其他算法22-25
- 2.5.1 本底扣除22
- 2.5.2 平滑濾波22-24
- 2.5.3 信噪比計算24
- 2.5.4 統(tǒng)計分析計算24-25
- 2.6 本章小結25-26
- 第3章 TOF-SIMS數(shù)據(jù)分析軟件開發(fā)26-34
- 3.1 引言26
- 3.2 TOF-SIMS數(shù)據(jù)分析軟件的開發(fā)環(huán)境介紹26-27
- 3.2.1 數(shù)據(jù)分析軟件的開發(fā)環(huán)境26
- 3.2.2 Matlab 與 C#混合編程的實現(xiàn)26-27
- 3.3 軟件總體設計27-28
- 3.3.1 系統(tǒng)的功能需求27
- 3.3.2 軟件架構設計27-28
- 3.4 系統(tǒng)各部分設計28-31
- 3.4.1 模型部分28-30
- 3.4.2 視圖部分30-31
- 3.4.3 控制部分31
- 3.5 軟件測試31-32
- 3.6 本章小結32-34
- 第4章 TOF-SIMS銅同位素分析研究34-49
- 4.1 引言34
- 4.2 實驗樣品34-35
- 4.2.1 實驗樣品選擇34-35
- 4.2.2 實驗樣品制備35
- 4.3 儀器與分析條件的建立35-37
- 4.3.1 儀器介紹35-36
- 4.3.2 實驗分析條件的建立36-37
- 4.4 分析方法37-38
- 4.5 實驗結果與討論38-43
- 4.5.1 TOF-SIMS儀器的性能測試結果與討論38-40
- 4.5.2 樣品中銅同位素測試結果與討論40-43
- 4.6 樣品位置對同位素分析精度的影響43-48
- 4.6.1 實驗設計43-45
- 4.6.2 分析結果45-46
- 4.6.3 邊緣效應產(chǎn)生原因46-48
- 4.7 本章小結48-49
- 第5章 TOF-SIMS稀土元素分析研究49-56
- 5.1 引言49-50
- 5.2 實驗儀器及樣品50-51
- 5.2.1 實驗儀器50-51
- 5.2.2 實驗樣品選擇與制備51
- 5.3 實驗結果與討論51-55
- 5.3.1 儀器性能測試51-53
- 5.3.2 樣品中稀土元素分析結果與討論53-55
- 5.4 本章小結55-56
- 第6章 全文總結56-58
- 6.1 本文主要的工作56
- 6.2 存在不足及下一步工作56-58
- 參考文獻58-61
- 作者簡介及科研成果61-62
- 致謝62
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1 吳小山,,林振金,姬成周,楊錫震;ION BEAM AND SIMS ANALYSIS ON DAMAGE OF GaAs DOPED WITH N~+[J];Nuclear Science and Techniques;1994年03期
2 劉大錳,金奎勵,毛鶴齡;Compositional and Structural Study of Macerals in Coals and Source Rocks Using SIMS[J];Journal of China University of Mining & Technology;1997年01期
3 ;TOF-SIMS analysis: Application to ultra-thin AWA film on magnetic head[J];Science in China,Ser.A;2001年S1期
4 ;An SIMS Study on the Fingerprint Characteristics of Minerals with Special Reference to Minerals from the Jinningian Granites in the Yunnan Sector of the Xikang-Yunnan Axis[J];Acta Geologica Sinica(English Edition);1991年03期
5 ;Application of Ultra-High Resolution STXM-NEXAFS and Nano-SIMS on the Mapping of Carbon Related Samples[J];礦物學報;2011年S1期
6 李榮西,梁漢東;TOF-SIMS在源巖單組分研究中的應用[J];地學前緣;2001年02期
7 ;Zircon SIMS ages and chemical compositions from Northern Dabie Terrain:Its implication for pyroxenite genesis[J];Chinese Science Bulletin;2001年12期
8 虞鵬鵬;;SIMS分析技術及其在黃鐵礦原位微區(qū)分析微量元素測定的應用[J];中山大學研究生學刊(自然科學.醫(yī)學版);2013年01期
9 王玟珉;王秋玉;;Mn DEPLETION IN THE SURFACE LAYER OF STAINLESS STEEL 304 LN AT THE TEMPERATURE 1200 K[J];Nuclear Science and Techniques;1991年01期
10 杜美利,李春生;鏡狀體TOF-SIMS特征研究[J];中國煤田地質(zhì);2000年02期
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1 何小青;梁漢東;許世波;;硅元表面污染物的TOF-SIMS檢測[A];2007年全國質(zhì)譜學會無機質(zhì)譜、同位素質(zhì)譜、質(zhì)譜儀器和教育學專業(yè)委員會學術交流會論文集[C];2007年
2 Benninghoven;X.Q. Zhou;;Surface and Thin Layer analysis by TOF-SIMS[A];2001年納米和表面科學與技術全國會議論文摘要集[C];2001年
3 王成;季峻峰;WANG Jianhua;;應用SIMS原位分析土壤和小麥籽實中微量元素微區(qū)分布特征[A];中國礦物巖石地球化學學會第14屆學術年會論文摘要專輯[C];2013年
4 王輝;;SIMS特種工業(yè)膜技術在礦業(yè)冶煉行業(yè)的應用[A];第四屆全國膜分離技術在冶金工業(yè)中應用研討會論文集[C];2014年
5 趙夢璧;;應用SIMS技術分析IC摻雜工藝[A];華東三省一市第三屆真空學術交流會論文集[C];2000年
6 李少偉;趙永剛;王同興;李井懷;沈彥;張燕;;SEM/SIMS含鈾微粒分析質(zhì)量控制方法的研究[A];中國核科學技術進展報告(第二卷)——中國核學會2011年學術年會論文集第4冊(核材料分卷、同位素分離分卷、核化學與放射化學分卷)[C];2011年
7 瞿欣;王家楫;;深亞微米IC超淺結的SIMS表征[A];2005年全國無機質(zhì)譜、同位素質(zhì)譜和質(zhì)譜儀器學術報告會論文集[C];2005年
8 PATRICK ASAMOAH SAKYI;;SIMS ZIRCON U-Pb GEOCHRONOLOGY AND Sr-Nd ISOTOPES OF Ni-Cu-BEARING MAFIC-ULTRAMAFIC INTRUSIONS IN EASTERN TIAN SHAN AND BEISHAN IN CORRELATION WITH FLOOD BASALTS IN TARIM BASIN(NW CHINA):CONSTRAINTS ON A CA.280 MA MANTLE PLUME[A];中國科學院地質(zhì)與地球物理研究所第11屆(2011年度)學術年會論文集(下)[C];2012年
9 武昌平;李安利;李金英;;二次粒子質(zhì)譜(SIMS)分析堆材料表面涂層成份深度分布[A];第十一屆全國活化分析學術會議論文摘要匯編[C];2006年
10 方培源;曹永明;;SOI材料中絕緣層界面處離子注入氟的SIMS剖析[A];2005年全國無機質(zhì)譜、同位素質(zhì)譜和質(zhì)譜儀器學術報告會論文集[C];2005年
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10 梁變;基于指紋識別的SIMS的設計與實現(xiàn)[D];西安電子科技大學;2011年
本文編號:1110751
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