本文關(guān)鍵詞：國產(chǎn)中高壓抗輻照功率MOSFET單粒子效應(yīng)

  更多相關(guān)文章： 功率金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 單粒子效應(yīng) 抗輻射加固

【摘要】：功率金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)空間使用時易遭受重離子轟擊產(chǎn)生單粒子效應(yīng)(單粒子燒毀和單粒子?xùn)糯?。本文對國產(chǎn)新型中、高壓(額定電壓250 V,500 V)抗輻照功率MOSFET的單粒子輻射效應(yīng)進(jìn)行了研究,并采取了有針對性的加固措施,使器件的抗單粒子能力顯著提升。結(jié)果表明:對250 V KW2型功率MOSFET器件進(jìn)行Bi粒子輻照,在柵壓等于0 V時,安全工作的漏極電壓達(dá)到250 V;對500 V KW5型功率MOSFET器件進(jìn)行Xe粒子輻照,在柵壓等于0 V時,安全工作的漏極電壓達(dá)到400 V,并且當(dāng)柵壓為-15 V時,安全工作的漏極電壓也達(dá)到400 V,說明國產(chǎn)中、高壓功率MOSFET器件有較好的抗單粒子能力。
【作者單位】： 中國科學(xué)院微電子研究所;
【關(guān)鍵詞】： 功率金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 單粒子效應(yīng) 抗輻射加固
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61204110) 中國科學(xué)院重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室基金資助項(xiàng)目(CXJJ-15S079)
【分類號】：TN386
【正文快照】： 由于功率金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)具有輸入阻抗高,驅(qū)動功率低,開關(guān)速度快,熱穩(wěn)定性好等特點(diǎn),同時還具有負(fù)溫度系數(shù)、無雙極晶體管所謂的二次擊穿等優(yōu)點(diǎn),在航空、航天、核工程等極端復(fù)雜環(huán)境下的應(yīng)用越來越廣泛[1-3]。眾所周知,空間中存在著大量的帶電粒子及宇宙

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本文編號：996127