本文關(guān)鍵詞：壓接型IGBT封裝寄生參數(shù)對(duì)芯片開通過程中的均流影響分析

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【摘要】：在壓接型絕緣柵雙極型晶體管(press-pack IGBT)模塊內(nèi)部,封裝寄生參數(shù)會(huì)對(duì)芯片開通過程中的均流產(chǎn)生影響,找出影響較大的寄生參數(shù)并在封裝設(shè)計(jì)時(shí)加以改進(jìn)就顯得十分必要。在分析壓接型IGBT模塊中封裝寄生參數(shù)來源的基礎(chǔ)上,根據(jù)有限元軟件對(duì)封裝寄生參數(shù)的提取結(jié)果,初步建立封裝電路模型。以典型的電力電子變換電路Boost電路為例進(jìn)行仿真,分析壓接型IGBT模塊的封裝寄生參數(shù)對(duì)模塊內(nèi)部開通過程中均流的影響。仿真結(jié)果表明,不同的寄生參數(shù)對(duì)模塊內(nèi)部均流特性的影響不同,初步找出影響較大的寄生參數(shù),并為封裝設(shè)計(jì)提供參考。
【作者單位】： 新能源電力系統(tǒng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(華北電力大學(xué));全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院;
【關(guān)鍵詞】： 絕緣柵雙極型晶體管 壓接封裝 寄生參數(shù) 均流
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(51477048) 國(guó)家電網(wǎng)公司科技項(xiàng)目:2 500 V/600 A壓接式IGBT模塊關(guān)鍵技術(shù)研究(SGRI-WD-71-13-006)~~
【分類號(hào)】：TN322.8
【正文快照】： 0引言絕緣柵雙極型晶體管IGBT,是目前最具應(yīng)用前景的電力電子器件之一。近幾年,壓接型IGBT(press-pack IGBT,PPI)模塊受到了人們的廣泛關(guān)注。為了提高壓接型IGBT模塊的通流能力,高壓大功率壓接型IGBT模塊內(nèi)部往往并聯(lián)了很多IGBT芯片,各并聯(lián)IGBT芯片的均流特性會(huì)影響器件的特性

【參考文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前5條

1 竇澤春;Rupert Stevens;忻蘭苑;劉國(guó)友;徐凝華;;新型壓接式IGBT模塊的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與特性分析[J];機(jī)車電傳動(dòng);2013年01期

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【共引文獻(xiàn)】

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3 常W，

本文編號(hào)：988273