本文關(guān)鍵詞：磁控濺射法制備IGZO薄膜材料技術(shù)的研究進(jìn)展

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【摘要】：IGZO TFT具有載流子遷移率高、可見(jiàn)光透過(guò)率高、大面積均勻性良好、低功耗等優(yōu)點(diǎn),成為顯示器朝著大尺寸、柔性化方向發(fā)展最具潛力的新型背板技術(shù)。綜述了IGZO材料的特性和應(yīng)用,總結(jié)出IGZO薄膜的制備方法,同時(shí)提出了IGZO靶材的性能要求和關(guān)鍵技術(shù),可為IGZO靶材的研究及產(chǎn)業(yè)化提供借鑒。
【作者單位】： 洛陽(yáng)船舶材料研究所;
【關(guān)鍵詞】： IGZO 濺射靶材 光電薄膜 制備技術(shù)
【分類號(hào)】：TN304.2
【正文快照】： IGZO材料技術(shù)從1995[1]年問(wèn)世以來(lái),憑借其在成像質(zhì)量、大尺寸制備等方面的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)迅速成為面板行業(yè)焦點(diǎn)。而自從智能手機(jī)和平板電腦迅速普及以來(lái),人們對(duì)于顯示器屏幕清晰度和尺寸的要求也不斷加大。采用IGZO技術(shù)的顯示器面板不同于采用硅系材料的面板,既擁有遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)α-Si，

本文編號(hào)：983680