本文關(guān)鍵詞：緩解電路NBTI效應(yīng)的改進門替換技術(shù)

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【摘要】：納米工藝水平下,負偏置溫度不穩(wěn)定性(negative bias temperature instability,NBTI)成為影響集成電路可靠性的關(guān)鍵性因素。NBTI效應(yīng)會導(dǎo)致晶體管閾值電壓增加,老化加劇,最終導(dǎo)致電路時序違規(guī)。為了緩解電路的NBTI效應(yīng),引入考慮門的時延關(guān)鍵性的權(quán)值識別關(guān)鍵門,通過比較關(guān)鍵門的不同扇入門替換后的時延增量,得到引入額外時延相對較小的雙輸入的需要替換的門,最后進行門替換。對基于45 nm晶體管工藝的ISCAS85基準電路實驗結(jié)果顯示,在電路時序余量為5%時,應(yīng)用本文改進的門替換方法電路時延改善率為41.23%,而面積增加率和門替換率分別為3.17%和8.99%,明顯優(yōu)于傳統(tǒng)門替換方法。
【作者單位】： 合肥工業(yè)大學(xué)電子科學(xué)與應(yīng)用物理學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 負偏置溫度不穩(wěn)定性 時序違規(guī) 時延關(guān)鍵性 關(guān)鍵門 門替換
【基金】：國家自然科學(xué)基金(61371025,61274036,61574052)資助項目
【分類號】：TN401
【正文快照】： 1引言隨著CMOS器件工藝和計算機技術(shù)的發(fā)展,芯片集成度越來越高[1-3],各種高性能的電力電子產(chǎn)品不斷涌現(xiàn)[4],集成電路可靠性成為電路設(shè)計的重要問題。其中,晶體管老化是影響集成電路可靠性的重要因素,而負偏置溫度不穩(wěn)定性是影響晶體管老化的關(guān)鍵性因素,因此NBTI效應(yīng)成為提高，

本文編號：973886