本文關(guān)鍵詞：40nm金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管感應(yīng)柵極噪聲及互相關(guān)噪聲頻率與偏置依賴性建模

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【摘要】：用于低功耗、混合信號(hào)及高頻領(lǐng)域的CMOS技術(shù)的縮比進(jìn)展,表明其最佳的高頻性能已從低中反區(qū)轉(zhuǎn)移至弱反區(qū).高頻噪聲模型是射頻與毫米波電路設(shè)計(jì)的先決條件,是納米級(jí)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)噪聲分析的重要基礎(chǔ).本文基于40 nm MOSFET的器件物理結(jié)構(gòu),并結(jié)合漂移-擴(kuò)散方程和電荷守恒定律,提出了基于物理的高頻感應(yīng)柵極電流噪聲模型及其與漏極電流噪聲的互相關(guān)噪聲模型,以此來(lái)統(tǒng)一表征噪聲從弱反區(qū)到強(qiáng)反區(qū)的頻率與偏置依賴性.本文通過(guò)將有效柵極過(guò)載引入高頻噪聲模型中,使得統(tǒng)一模型具有良好的準(zhǔn)確性、連續(xù)性和平滑性.最后,通過(guò)所建模型的仿真結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果的數(shù)據(jù)比較,驗(yàn)證了本文所建模型的準(zhǔn)確性及其對(duì)長(zhǎng)溝道器件在強(qiáng)反區(qū)的適用性.
【作者單位】： 西南科技大學(xué)信息工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： nm金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 高頻噪聲模型 偏置依賴性
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào):69901003)資助的課題~~
【分類號(hào)】：TN386
【正文快照】： 1引言 隨著低功耗器件溝道長(zhǎng)度的減小,電源電壓隨之降低,MOSFET的工作點(diǎn)從強(qiáng)反區(qū)向弱反區(qū)轉(zhuǎn)移,但閾值電壓卻不隨之成比例減小,因此導(dǎo)致器件的噪聲特性產(chǎn)生了顯著的變化.對(duì)于MOSFET器件噪聲分析,通常是以雙端口網(wǎng)絡(luò)的形式把噪聲源獨(dú)立出來(lái)(如圖1所示),并以傳統(tǒng)的熱噪聲機(jī)理解，

本文編號(hào)：969351