基于調(diào)節(jié)存儲(chǔ)功能層的非易失性有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器的研究
本文關(guān)鍵詞:基于調(diào)節(jié)存儲(chǔ)功能層的非易失性有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器的研究
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【摘要】:有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器具有材料來(lái)源廣、工藝簡(jiǎn)單、可低溫常溫制備、溶液制備、非破壞性讀取、柔性集成等眾多優(yōu)點(diǎn),廣泛受到科研人員的關(guān)注。本文介紹了有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程、分類以及存儲(chǔ)機(jī)理,設(shè)計(jì)并制備了可調(diào)節(jié)隧穿層勢(shì)壘的浮柵型有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OFET)存儲(chǔ)器,并對(duì)其存儲(chǔ)機(jī)理進(jìn)行了解釋。文中將Breath-figure法和旋涂法相結(jié)合,利用水的乳化性質(zhì),讓超聲分散的小水滴在溶液中均勻分布,充當(dāng)多孔模板;旋涂法制備薄膜保證了薄膜的厚度和表面粗糙度可控。為了探究多孔結(jié)構(gòu)在OFET存儲(chǔ)器中的功能,我們分別使用薄的/厚的無(wú)孔結(jié)構(gòu)和低密度/高密度多孔結(jié)構(gòu)聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜充當(dāng)隧穿層制備出四個(gè)浮柵型OFET存儲(chǔ)器;多孔結(jié)構(gòu)和無(wú)孔結(jié)構(gòu)PMMA隧穿層存儲(chǔ)器相比較,多孔結(jié)構(gòu)的PMMA隧穿層能夠?qū)Ω判蚈FET存儲(chǔ)器器件的存儲(chǔ)性能產(chǎn)生積極影響,促進(jìn)存儲(chǔ)器讀寫擦性能的改善。此外,隨著PMMA薄膜孔密度的增加,存儲(chǔ)器的性能也同步增加。通過(guò)研究多孔結(jié)構(gòu)PMMA薄膜原子力顯微鏡(AFM)圖片和高密度多孔結(jié)構(gòu)PMMA薄膜上生長(zhǎng)的并五苯薄膜AFM發(fā)現(xiàn),并五苯在熱蒸發(fā)過(guò)程中有部分晶粒滲入PMMA薄膜孔洞中,使PMMA隧穿層和并五苯活性層之間的有效隧穿面積大大增加,同時(shí)使PMMA薄膜和并五苯薄膜之間的電子轉(zhuǎn)移路徑增多,促進(jìn)存儲(chǔ)器中浮柵粒子對(duì)電子的捕獲和釋放。因此,文中制備的多孔結(jié)構(gòu)PMMA隧穿層具有兩個(gè)特性,孔結(jié)構(gòu)部位具有較低的隧穿勢(shì)壘,有利于電荷的捕獲和釋放;無(wú)孔部位薄膜較厚,具有較高電絕緣性。
【關(guān)鍵詞】:非易失性存儲(chǔ) 浮柵 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 孔結(jié)構(gòu) 隧穿電介層
【學(xué)位授予單位】:南京郵電大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號(hào)】:TP333;TN386
【目錄】:
- 摘要4-5
- Abstract5-8
- 專用術(shù)語(yǔ)注釋表8-9
- 第一章 緒論9-14
- 1.1 引言9-11
- 1.1.1 有機(jī)電子學(xué)背景介紹9-10
- 1.1.2 有機(jī)存儲(chǔ)器概述10-11
- 1.2 本文研究意義和主要工作11-14
- 1.2.1 研究意義11-12
- 1.2.2 主要工作12-14
- 第二章 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器概述14-29
- 2.1 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器背景介紹14-18
- 2.1.1 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)和基本參數(shù)14-16
- 2.1.2 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器主要制備材料16-18
- 2.2 OFET存儲(chǔ)器分類和工作原理18-24
- 2.2.1 OFET存儲(chǔ)器分類18-22
- 2.2.2 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器工作原理22-24
- 2.3 具有多孔結(jié)構(gòu)的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器制備方法24-27
- 2.3.1 多孔結(jié)構(gòu)有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介24-25
- 2.3.2 多孔聚合物薄膜的制備25
- 2.3.3 器件的制備25-27
- 2.4 存儲(chǔ)器器件的性能測(cè)試和表征27-28
- 2.5 本章小結(jié)28-29
- 第三章 呼吸圖法制備PMMA多孔薄膜29-43
- 3.1 前言29-35
- 3.1.1 呼吸圖法制備多孔結(jié)構(gòu)聚合物薄膜29-32
- 3.1.2 多孔結(jié)構(gòu)的形成機(jī)理32-34
- 3.1.3 多孔結(jié)構(gòu)形成的影響因素34-35
- 3.2 PMMA多孔聚合物薄膜的制備35-43
- 3.2.1 實(shí)驗(yàn)部分35-37
- 3.2.2 結(jié)果與討論37-43
- 3.3 本章小結(jié)43
- 第四章 利用多孔結(jié)構(gòu)調(diào)節(jié)隧穿層勢(shì)壘制備高性能存儲(chǔ)器件43-54
- 4.1 有機(jī)隧穿層對(duì)存儲(chǔ)器性能的重要性43-44
- 4.2 基于多孔結(jié)構(gòu)隧穿層有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器性能研究44-51
- 4.2.1 器件制備和性能表征44-46
- 4.2.2 結(jié)果與討論46-51
- 4.3 多孔結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器機(jī)理解釋和物理模型51-53
- 4.4 本章小結(jié)53-54
- 第五章 利用不同聚合物混摻調(diào)節(jié)存儲(chǔ)層制備高性能存儲(chǔ)器54-60
- 5.1 引言54
- 5.2 器件制備與表征54-56
- 5.3 結(jié)果與討論56-59
- 5.4 本章小結(jié)59-60
- 第六章 總結(jié)與展望60-61
- 參考文獻(xiàn)61-64
- 附錄1 攻讀碩士學(xué)位期間撰寫的論文64-65
- 附錄2 攻讀碩士學(xué)位期間申請(qǐng)的專利65-66
- 附錄3 攻讀碩士學(xué)位期間參加的科研項(xiàng)目66-67
- 致謝67
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1 ;存儲(chǔ)器、鎖存器[J];電子科技文摘;1999年08期
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5 黃征,莊弈琪;一種新型存儲(chǔ)器件—磁電存儲(chǔ)器[J];國(guó)外電子元器件;2004年04期
6 高宗義;一種新型存儲(chǔ)器件—磁電存儲(chǔ)器[J];安徽電子信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院學(xué)報(bào);2005年04期
7 劉欣;姬濯宇;劉明;商立偉;李冬梅;代月花;;有機(jī)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的研究進(jìn)展[J];科學(xué)通報(bào);2011年27期
8 姚建楠,季科夫,吳金,黃晶生,劉凡;基于SRAM高速靈敏放大器的分析與設(shè)計(jì)[J];電子器件;2005年03期
9 孫勁鵬,王太宏;單電子存儲(chǔ)器[J];微納電子技術(shù);2002年08期
10 楊波,王躍科,楊俊,邢克飛;ADSP-BF535存儲(chǔ)器的分級(jí)管理機(jī)制及其性能評(píng)估[J];電子器件;2003年04期
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,本文編號(hào):966820
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