發(fā)布時(shí)間：2017-10-03 17:34

  本文關(guān)鍵詞：IGBT模塊柵極電壓米勒平臺(tái)時(shí)延與結(jié)溫的關(guān)系

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【摘要】：通過(guò)對(duì)IGBT模塊柵極電壓米勒平臺(tái)的時(shí)延與結(jié)溫Tj的關(guān)系進(jìn)行研究,首先從理論角度分析了米勒平臺(tái)時(shí)延溫度特性;其次設(shè)計(jì)了穩(wěn)定可靠的米勒時(shí)延測(cè)量系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)柵極米勒平臺(tái)時(shí)間延遲的精確測(cè)量;最后,在一定條件(恒定電壓、恒定電流)下對(duì)米勒平臺(tái)的時(shí)延與結(jié)溫的關(guān)系進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。理論與實(shí)驗(yàn)均證實(shí),米勒平臺(tái)的時(shí)間延遲隨結(jié)溫的變化而變化,且二者呈現(xiàn)非常好的線性比例關(guān)系,結(jié)溫Tj每升高1℃,柵極電壓米勒平臺(tái)時(shí)間延長(zhǎng)0.74ns左右。
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院大學(xué)信息學(xué)院;中國(guó)科學(xué)院電工研究所;
【關(guān)鍵詞】： IGBT 柵極電壓 米勒平臺(tái) 溫度特性
【基金】：國(guó)家重大科技專項(xiàng)02專項(xiàng):智能電網(wǎng)高壓芯片封裝與模塊技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化資助項(xiàng)目(2011ZX02603)
【分類號(hào)】：TN322.8
【正文快照】： 0引言絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate BipolarTransistor,IGBT)模塊是一種由多個(gè)IGBT芯片和功率二極管芯片、陶瓷覆銅基板(direct bondingcopper substarte)、散熱底板、焊接層、鍵合引線及功率端子組成的電力電子集成模塊,已經(jīng)廣泛應(yīng)用在新能源發(fā)電、軌道交通、航空航天

【相似文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：965813