IGBT模塊柵極電壓米勒平臺時延與結溫的關系
本文關鍵詞:IGBT模塊柵極電壓米勒平臺時延與結溫的關系
【摘要】:通過對IGBT模塊柵極電壓米勒平臺的時延與結溫Tj的關系進行研究,首先從理論角度分析了米勒平臺時延溫度特性;其次設計了穩(wěn)定可靠的米勒時延測量系統(tǒng)實現(xiàn)柵極米勒平臺時間延遲的精確測量;最后,在一定條件(恒定電壓、恒定電流)下對米勒平臺的時延與結溫的關系進行了實驗驗證。理論與實驗均證實,米勒平臺的時間延遲隨結溫的變化而變化,且二者呈現(xiàn)非常好的線性比例關系,結溫Tj每升高1℃,柵極電壓米勒平臺時間延長0.74ns左右。
【作者單位】: 中國科學院大學信息學院;中國科學院電工研究所;
【關鍵詞】: IGBT 柵極電壓 米勒平臺 溫度特性
【基金】:國家重大科技專項02專項:智能電網高壓芯片封裝與模塊技術研發(fā)及產業(yè)化資助項目(2011ZX02603)
【分類號】:TN322.8
【正文快照】: 0引言絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate BipolarTransistor,IGBT)模塊是一種由多個IGBT芯片和功率二極管芯片、陶瓷覆銅基板(direct bondingcopper substarte)、散熱底板、焊接層、鍵合引線及功率端子組成的電力電子集成模塊,已經廣泛應用在新能源發(fā)電、軌道交通、航空航天
【相似文獻】
中國期刊全文數(shù)據庫 前10條
1 N.沃馬羅;M.奧蘇基;Y.霍希;S.約希沃塔里;T.米耶塞凱;Y.西基;花蕾;;1200V和1700V新型IGBT模塊溝槽及電場截止型IGBT低注入續(xù)流二極管[J];電力電子;2004年04期
2 Jussi Karttunen;Samuli Kallio;Pertti Silventoinen;鄭鵬洲;;多芯片IGBT模塊實時熱模型的應用[J];電力電子;2012年04期
3 江興;;IGBT芯片和IGBT模塊封裝技術全面蓬勃發(fā)展[J];半導體信息;2012年02期
4 喬冠梁;丁遠翔;丁學文;;IGBT模塊的一種驅動設計[J];國外電子元器件;2007年10期
5 湯姆·亞當斯;;IGBT模塊焊錫厚度均勻性的檢測[J];電力電子;2013年02期
6 孫國印;IGBT模塊應用中過電壓的抑制[J];電力電子技術;2002年04期
7 宮崎裕二;村\『陫;日吉道明;;適合中高頻應用的NFM系列IGBT模塊[J];電力電子技術;2006年04期
8 翟超;郭清;盛況;;IGBT模塊封裝熱應力研究[J];機電工程;2013年09期
9 吳武臣,張華,董利民,M.Held,P.Scacco,P.Jacob;大功率半橋IGBT模塊的鎖定效應研究[J];半導體技術;1997年06期
10 鄭冬冬;;IR發(fā)布低溫高速隔離式IGBT模塊[J];半導體信息;2003年02期
中國重要會議論文全文數(shù)據庫 前2條
1 劉蕩波;;IGBT模塊及其應用[A];中國電工技術學會電力電子學會第八屆學術年會論文集[C];2002年
2 劉蕩波;張立;張歧寧;王曉寶;;IGBT模塊及其應用[A];展望新世紀——’02學術年會論文集[C];2002年
中國碩士學位論文全文數(shù)據庫 前2條
1 秦星;風電變流器IGBT模塊結溫計算及功率循環(huán)能力評估[D];重慶大學;2014年
2 王彥剛;IGBT模塊熱行為及可靠性研究[D];北京工業(yè)大學;2000年
,本文編號:965813
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