本文關(guān)鍵詞：多級(jí)倍增超晶格InGaAs雪崩光電二級(jí)管的增益-噪聲特性

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【摘要】：重點(diǎn)研究了多級(jí)倍增超晶格InGaAs雪崩光電二級(jí)管(APD)的增益和過(guò)剩噪聲,建立了新的載流子增益-過(guò)剩噪聲模型。在常規(guī)弛豫空間理論基礎(chǔ)上分析了其工作原理,考慮了預(yù)加熱電場(chǎng)和能帶階躍帶來(lái)的初始能量效應(yīng)、電子進(jìn)入高場(chǎng)倍增區(qū)時(shí)異質(zhì)結(jié)邊界附近的弛豫空間長(zhǎng)度修正以及聲子散射對(duì)碰撞離化系數(shù)的影響,提出了用于指導(dǎo)該類APD的增益-過(guò)剩噪聲計(jì)算的修正弛豫空間理論。結(jié)果表明:在相同條件下,相比于常規(guī)的單層倍增SAGCM結(jié)構(gòu),多級(jí)倍增超晶格InGaAsAPD同時(shí)具有更高增益和更低噪聲,且修正的弛豫空間理論可被推廣到更多級(jí)倍增的超晶格InGaAsAPD結(jié)構(gòu),在保證低噪聲前提下,通過(guò)增加倍增級(jí)數(shù)可提高增益。
【作者單位】： 西南技術(shù)物理研究所;
【關(guān)鍵詞】： 修正的弛豫空間理論 多級(jí)倍增超晶格InGaAs APD 碰撞電離 弛豫空間長(zhǎng)度
【分類號(hào)】：TN312.7
【正文快照】： 0引言雪崩光電二極管(APD)是一種具有內(nèi)增益的光電器件,它可以探測(cè)微弱的光信號(hào)(納瓦至單光子數(shù)量級(jí)),因此在弱光探測(cè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。硅APD的優(yōu)勢(shì)在于電子和空穴的碰撞離化系數(shù)相差很大,k≈0.02(電子倍增為主,k為空穴與電子碰撞離化系數(shù)之比),從而具有低的過(guò)剩噪聲因子,

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中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 王恩哥;王懷玉;;超晶格材料的發(fā)展歷史、研究現(xiàn)狀及展望[J];大自然探索;1991年02期

2 康昌鶴;;超晶格半導(dǎo)體材料及其應(yīng)用(3)[J];儀表材料;1987年06期

3 邵力為;劉潔美;郭耀華;;超晶格材料的俄歇電子能譜分析[J];真空電子技術(shù);1988年02期

4 陳坤基,毛國(guó)民,蔣樹(shù)聲,李志鋒;準(zhǔn)周期a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格研究中的新結(jié)果(英文)[J];固體電子學(xué)研究與進(jìn)展;1989年04期

5 孔羽飛,許祖彥;光學(xué)超晶格材料的發(fā)展及應(yīng)用[J];光電子·激光;1998年04期

6 陳濤;蘆葦;朱建國(guó);;BaTiO_3/LaAlO_3鐵電超晶格中耗散因子與性能的關(guān)系[J];電子元件與材料;2008年04期

7 王玉堂;國(guó)家自然科學(xué)基金委員會(huì)信息科學(xué)部召開(kāi)光學(xué)超晶格研討會(huì)[J];光電子·激光;1998年03期

8 陳效雙,竇紅飛,劉興權(quán),陸衛(wèi),沈?qū)W礎(chǔ);隨機(jī)層厚分布的半導(dǎo)體超晶格光熒光對(duì)溫度的依賴關(guān)系[J];量子電子學(xué)報(bào);1999年02期

9 郭子政;江崎玲玉奈與半導(dǎo)體超晶格[J];物理教師;2000年03期

10 彭英才;半導(dǎo)體超晶格物理與器件（11）[J];半導(dǎo)體雜志;1994年01期

中國(guó)重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 朱永元;;光學(xué)超晶格的研究[A];江蘇、山東、河南、江西、黑龍江五省光學(xué)（激光）聯(lián)合學(xué)術(shù)'05年會(huì)論文集[C];2005年

2 呂新杰;趙麗娜;陸駿;趙剛;劉輝;秦亦強(qiáng);祝世寧;;用二維傅里葉變換方法評(píng)價(jià)光學(xué)超晶格的極化質(zhì)量[A];第15屆全國(guó)晶體生長(zhǎng)與材料學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2009年

3 魏雪霞;李勇鵬;;單軸壓縮實(shí)驗(yàn)中端部摩擦對(duì)超晶格電子結(jié)構(gòu)的影響研究[A];北京力學(xué)會(huì)第13屆學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2007年

4 魏曉莉;馮國(guó)光;;應(yīng)變和成份調(diào)制超晶格的CBED研究[A];第七次全國(guó)電子顯微學(xué)會(huì)議論文摘要集[C];1993年

5 陳延峰;朱永元;陸延青;張學(xué)進(jìn);祝世寧;閔乃本;;聲學(xué)超晶格材料及其聲學(xué)和光學(xué)效應(yīng)[A];TFC’03全國(guó)薄膜技術(shù)學(xué)術(shù)研討會(huì)論文摘要集[C];2003年

6 馮國(guó)光;魏曉莉;陳羲東;;半導(dǎo)體超晶格和多層膜應(yīng)變的CBED測(cè)定[A];海峽兩岸電子顯微學(xué)討論會(huì)論文專集[C];1991年

7 錢士雄;王恭明;姚文華;李郁芬;江風(fēng)益;;Zns/Znse超晶格的喇曼光譜研究[A];中國(guó)物理學(xué)會(huì)光散射專業(yè)委員會(huì)成立十周年暨第六屆學(xué)術(shù)會(huì)議論文集（上）[C];1991年

8 胡安;朱明;朱勁松;許自然;;Cu/Nb超晶格的模量異常[A];內(nèi)耗與超聲衰減——第二次全國(guó)固體內(nèi)耗與超聲衰減學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];1988年

9 王晶晶;鐘中;王滌;張樹(shù)霖;徐貴昌;滕達(dá);;GaAs/AlAs超晶格的原位真空高溫聲學(xué)聲子譜的研究[A];中國(guó)物理學(xué)會(huì)光散射專業(yè)委員會(huì)成立十周年暨第六屆學(xué)術(shù)會(huì)議論文集（上）[C];1991年

10 閔乃本;朱永元;;介電體超晶格及微結(jié)構(gòu)[A];第二屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];1995年

中國(guó)重要報(bào)紙全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前2條

1 實(shí)習(xí)生：孫馨記者：劉莉主任：吳曉光;半導(dǎo)體研究：探索經(jīng)典中的前沿[N];科技日?qǐng)?bào);2005年

2 常麗君;新型超晶格攝像機(jī)讓夜色更多彩[N];科技日?qǐng)?bào);2011年

中國(guó)博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前3條

1 范文斌;超晶格中隧穿輸運(yùn)與BEC中若干非線性激發(fā)現(xiàn)象[D];中國(guó)工程物理研究院;2001年

2 吳飛翔;幾種鈣鈦礦結(jié)構(gòu)氧化物薄膜/超晶格的生長(zhǎng)和物性研究[D];南京大學(xué);2012年

3 陸駿;光學(xué)超晶格的內(nèi)腔光參量上轉(zhuǎn)換技術(shù)研究[D];南京大學(xué);2012年

中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前7條

1 楊鳳;旋—軌耦合對(duì)MoS_2/WSe_2超晶格薄膜和Pt/Co多層膜電子結(jié)構(gòu)的影響[D];四川師范大學(xué);2015年

2 王志剛;超晶格中一些輸運(yùn)及動(dòng)力學(xué)問(wèn)題的理論研究[D];中國(guó)工程物理研究院北京研究生部;2003年

3 閆福強(qiáng);太拉赫茲場(chǎng)及強(qiáng)磁場(chǎng)作用下半導(dǎo)體超晶格系統(tǒng)中的輸運(yùn)性質(zhì)[D];中國(guó)科學(xué)院上海冶金研究所;2001年

4 劉洋;平均場(chǎng)朗道理論在納米尺度鐵電薄膜和超晶格中的應(yīng)用[D];蘭州大學(xué);2012年

5 李國(guó)剛;用優(yōu)化算法模擬計(jì)算摻雜弱耦合GaAs/AlAs超晶格的縱向輸運(yùn)[D];福州大學(xué);2003年

6 盧飛;含極性不連續(xù)的PbTiO_3/KTaO_3鐵電超晶格性能影響因素研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2013年

7 秦帥鋒;弱磁場(chǎng)下光學(xué)超晶格中自旋-1原子的基態(tài)性質(zhì)[D];河南師范大學(xué);2013年

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本文編號(hào)：953140