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Flash型FPGA單粒子瞬態(tài)脈沖分段濾除電路設(shè)計(jì)

發(fā)布時(shí)間:2017-10-01 01:20

  本文關(guān)鍵詞:Flash型FPGA單粒子瞬態(tài)脈沖分段濾除電路設(shè)計(jì)


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【摘要】:為提高FPGA在輻射環(huán)境條件下的抗單粒子脈沖(SET)的能力,設(shè)計(jì)了一種由多個(gè)延時(shí)單元和并聯(lián)邏輯保護(hù)單元(Guard Gate,GG)構(gòu)成的SET脈沖分段濾除電路.將SET脈沖處理延時(shí)減小至傳統(tǒng)方法的10.42%~49.8%,從而提高電路對(duì)SET脈沖的處理能力,同時(shí)占用的邏輯資源未有明顯增加.
【作者單位】: 北京航空航天大學(xué)宇航學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】單粒子瞬態(tài)脈沖 邏輯保護(hù)單元 Flash型FPGA
【基金】:國(guó)家自然科學(xué)基金(41274190,41074130,41327802)
【分類號(hào)】:TN791
【正文快照】: 1引言隨著大規(guī)模集成電路在高強(qiáng)度輻射空間環(huán)境中應(yīng)用的不斷增加及FPGA的廣泛應(yīng)用,單粒子瞬態(tài)效應(yīng)(Single Event Transient,SET)日益成為現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)在空間應(yīng)用中所關(guān)注的問(wèn)題.首先,集成電路器件進(jìn)入深亞微米時(shí)代,FPGA的特征尺寸不斷減小,使得節(jié)點(diǎn)電容降低,同時(shí)內(nèi)

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 ;以Flash為基礎(chǔ)的FPGA實(shí)現(xiàn)高度安全設(shè)計(jì)[J];世界電子元器件;2006年02期

2 章從福;;日本半導(dǎo)體廠積極擴(kuò)增Flash產(chǎn)能[J];半導(dǎo)體信息;2005年04期

3 王麗娟;;Flash—電子產(chǎn)業(yè)最大推手[J];電子與電腦;2009年01期

4 楊陽(yáng);宋明歆;朱學(xué)亮;;片上Flash測(cè)試接口的設(shè)計(jì)[J];微電子學(xué)與計(jì)算機(jī);2013年12期

5 吳振華;;用Flash實(shí)現(xiàn)ispLEVER自動(dòng)控制的探討[J];赤峰學(xué)院學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2010年06期

6 邱金蕙;李振全;;基于Max Ⅱ CPLD和Flash實(shí)現(xiàn)FPGA的多重配置[J];河北科技大學(xué)學(xué)報(bào);2008年02期

7 ;ProASIC3——Flash架構(gòu)FPGA的基礎(chǔ)[J];電子產(chǎn)品世界;2009年02期

8 紀(jì)如霆;;基于Flash和CPLD實(shí)現(xiàn)FPGA的配置[J];艦船電子對(duì)抗;2007年04期

9 ;TLE983X:集成8位MCU、Flash和中繼驅(qū)動(dòng)器的SoC電機(jī)控制解決方案[J];電子元器件應(yīng)用;2012年06期

10 齊志強(qiáng);;基于FPGA的串行Flash擴(kuò)展實(shí)現(xiàn)[J];國(guó)外電子元器件;2007年10期

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本文編號(hào):951519

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