本文關(guān)鍵詞：納米硒的制備及其光電性能

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【摘要】：以導(dǎo)電玻璃(ITO)為基底,采用電沉積法制備納米硒。在單一變量的基礎(chǔ)上結(jié)合正交試驗和響應(yīng)面試驗,探討了制備條件對納米硒光電壓的影響。結(jié)果表明:在沉積電壓1.7 V、沉積溫度30℃、沉積時間7 min、硫脲用量為1 mmol時,納米硒的光電壓值最高,達(dá)0.868 4 V;由紫外-可見吸收光譜測得其禁帶寬度E_g=1.84 e V;SEM分析發(fā)現(xiàn),納米硒呈棒狀及蓮花狀結(jié)構(gòu),棒直徑約為100 nm,長度為3~6μm;XRD表征結(jié)果顯示,納米硒主要為3種晶系的混晶系納米晶體,在2θ為37.188°、45.246°、60.324°處分別出現(xiàn)斜方晶系納米硒的(120)、(200)和(211)晶面,在2θ為30.141°、50.701°處分別出現(xiàn)六方晶系納米硒的〈101〉、{11-1}晶面,在2θ為35.522°處出現(xiàn)單斜晶系納米硒的[120]晶面,其中以〈101〉晶面和[120]晶面為擇優(yōu)生長取向。
【作者單位】： 桂林理工大學(xué)化學(xué)與生物學(xué)院;桂林理工大學(xué)環(huán)境科學(xué)與工程學(xué)院;桂林電子科技大學(xué)生命與環(huán)境科學(xué)學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 納米硒 光電壓 電沉積
【基金】：國家自然科學(xué)基金項目(61264007) 廣西高�？茖W(xué)技術(shù)研究項目(ZD2014061) 廣西科學(xué)研究與技術(shù)開發(fā)計劃課題(桂科重1298002-3)
【分類號】：TN304.13;TB383.1
【正文快照】： 硒是一種P型半導(dǎo)體,間接帶隙為1.6 e V[1]。在物理光學(xué)性能上,由于硒具有很高的光導(dǎo)性、優(yōu)異的單向?qū)щ娦浴㈧`敏的光響應(yīng)性、比較大的壓電效應(yīng)和熱電效應(yīng)等而成為應(yīng)用比較廣泛的一種無機(jī)光電材料[1-2]。硒有三方相灰硒、無定型紅硒、玻璃狀黑硒、α-硒和β-硒等多種同分異構(gòu)體

【相似文獻(xiàn)】

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本文編號：948475