本文關(guān)鍵詞：共柵共源結(jié)構(gòu)GaN HEMT開(kāi)關(guān)模型

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【摘要】：為了計(jì)算共柵共源結(jié)構(gòu)高壓氮化鎵(GaN)器件開(kāi)關(guān)損耗,提出一種共柵共源結(jié)構(gòu)GaN器件開(kāi)關(guān)過(guò)程及損耗模型.通過(guò)考慮共柵共源結(jié)構(gòu)中印制電路板(PCB)和引線寄生電感以及器件結(jié)電容,得出共柵共源結(jié)構(gòu)GaN器件的等效電路模型,進(jìn)而得到測(cè)試開(kāi)關(guān)特性的雙脈沖等效電路.按時(shí)間順序?qū)㈤_(kāi)通過(guò)程分為5個(gè)階段,將關(guān)斷過(guò)程分為4個(gè)階段,對(duì)雙脈沖等效電路進(jìn)行分析和簡(jiǎn)化,并計(jì)算得出各個(gè)階段中共柵共源結(jié)構(gòu)GaN器件電壓電流時(shí)域表達(dá)式,從而得到開(kāi)關(guān)過(guò)程波形及損耗.在不同驅(qū)動(dòng)電阻和開(kāi)關(guān)電流下進(jìn)行雙脈沖實(shí)驗(yàn),模型與實(shí)驗(yàn)的開(kāi)關(guān)波形及損耗較吻合,表明所提出模型較準(zhǔn)確.
【作者單位】： 浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 氮化鎵(GaN)器件 共柵共源結(jié)構(gòu) 開(kāi)關(guān)過(guò)程 高電子遷移率晶體管(HEMT)
【基金】：國(guó)家“863”高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃資助項(xiàng)目(SS2012AA053602)
【分類號(hào)】：TN386
【正文快照】： 與傳統(tǒng)硅(Si)器件相比,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)器件禁帶寬度更大,擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度更高,載流子速度更快.GaN器件特有的高電子遷移率晶體管(high electron mobility transistor,HEMT)結(jié)構(gòu)中包含二維電子氣(two-dimensional electron gas,2DEG),使得其有效電子遷移率很高[1].寬禁

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中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前3條

1 嚴(yán)家耀;;開(kāi)關(guān)電源的開(kāi)關(guān)過(guò)程分析[J];電子計(jì)算機(jī)動(dòng)態(tài);1980年12期

2 劉松;;基于漏極導(dǎo)通區(qū)特性理解MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程[J];今日電子;2008年11期

3 ;[J];;年期

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本文編號(hào)：942582