本文關(guān)鍵詞：摻鉑和電子輻照對快恢復(fù)二極管性能的影響

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【摘要】：壽命控制技術(shù)是現(xiàn)在廣泛使用的方法,該方法旨在減少快恢復(fù)二極管(FRD)基區(qū)載流子壽命從而實現(xiàn)更小的反向恢復(fù)時間,同時不可避免地引起其他性能的變化。通過高能電子輻照和擴鉑對1 200 V FRD進(jìn)行了壽命控制,并對鉑擴散和電子輻照樣品在正向壓降溫度特性、靜態(tài)和反向恢復(fù)特性等方面進(jìn)行了對比分析,發(fā)現(xiàn)鉑擴散樣品隨擴鉑溫度的增加,其擊穿電壓變大;高能電子輻照器件呈現(xiàn)電壓正溫度系數(shù),其正向壓降和反向恢復(fù)時間(VF-trr)折中曲線更靠近原點。實驗結(jié)果表明,高能電子輻照樣品具有更好的溫度系數(shù)、更好的VF-trr折中特性,然而反向電流在125℃卻高達(dá)約210μA。
【作者單位】： 北京工業(yè)大學(xué)電子信息與控制工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 壽命控制 擴鉑 電子輻照 快恢復(fù)二極管(FRD) 深能級瞬態(tài)譜(DLTS)
【基金】：中國教育部博士基金資助項目(20111103120016) 國家電網(wǎng)公司科技項目(5455DW140003)
【分類號】：TN31
【正文快照】： 0引言快恢復(fù)二極管(fast recovery diode,FRD)作為開關(guān)器件被廣泛應(yīng)用于功率電子系統(tǒng)中。由于功率半導(dǎo)體器件開關(guān)速度的提高,特別是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(metal-oxide-semiconductorfield-effect transistor,MOSFET)和高速絕緣柵雙極型晶體管(insulated gate bipolar

【相似文獻(xiàn)】

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3 劉昕;孔祥山;張s

本文編號：939420