本文關(guān)鍵詞：10GHz低相噪擴(kuò)頻時(shí)鐘發(fā)生器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

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【摘要】：基于55nm CMOS工藝設(shè)計(jì)并制造了一款小數(shù)分頻鎖相環(huán)低相噪10GHz擴(kuò)頻時(shí)鐘發(fā)生器(SSCG).該SSCG采用帶有開關(guān)電容陣列的壓控振蕩器實(shí)現(xiàn)寬頻和低增益,利用3階MASHΔΣ調(diào)制技術(shù)對(duì)電路噪聲整形降低帶內(nèi)噪聲,使用三角波調(diào)制改變分頻系數(shù)使擴(kuò)頻時(shí)鐘達(dá)到5 000×10~(-6).測(cè)試結(jié)果表明:時(shí)鐘發(fā)生器的中心工作頻率為10GHz,擴(kuò)頻模式下峰值降落達(dá)到16.46dB;在1 MHz頻偏處的相位噪聲為-106.93dBc/Hz.芯片面積為0.7mm×0.7mm,采用1.2V的電源供電,核心電路功耗為17.4mW.
【作者單位】： 湖南大學(xué)物理與微電子科學(xué)學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 擴(kuò)頻時(shí)鐘發(fā)生器 鎖相環(huán) ΔΣ調(diào)制器 相位噪聲
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61350007) 國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(863計(jì)劃)項(xiàng)目(2011AA010403)~~
【分類號(hào)】：TN432
【正文快照】： 當(dāng)前,隨著半導(dǎo)體工藝的不斷發(fā)展,電子產(chǎn)品工作頻率越來(lái)越高,高頻信號(hào)的輻射也越來(lái)越強(qiáng),芯片間的電磁干擾(EMI)變成了一個(gè)不容忽視的問(wèn)題[1-2].在無(wú)線通信系統(tǒng)中,當(dāng)數(shù)據(jù)處理與傳輸?shù)乃俾蔬_(dá)到Gbps的水平時(shí),電路輻射產(chǎn)生的噪聲大小直接決定了傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的優(yōu)劣.為了抑制EMI對(duì)傳

【相似文獻(xiàn)】

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