發(fā)布時(shí)間：2017-09-26 21:29

  本文關(guān)鍵詞：逆阻型絕緣柵雙極晶體管研究進(jìn)展

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【摘要】：逆阻型絕緣柵雙極型晶體管(RB-IGBT)是一種新型的IGBT器件,它是將IGBT元胞結(jié)構(gòu)與耐高壓的二極管元胞結(jié)構(gòu)集成到同一個(gè)芯片上。RB-IGBT相比于傳統(tǒng)的IGBT串聯(lián)一個(gè)二極管的模式,具有總通態(tài)壓降低、成本低、總功耗低和電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單等諸多優(yōu)點(diǎn)。自從被提出以來,RB-IGBT在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和加工工藝方面不斷得到改進(jìn),其性能不斷提升,使得RB-IGBT擁有更為廣闊的應(yīng)用前景。綜述了RB-IGBT的發(fā)展歷程和雙向耐壓原理,重點(diǎn)闡述了不斷改進(jìn)的RB-IGBT結(jié)構(gòu)和國際上采用的加工工藝。針對(duì)熱預(yù)算、工藝難度和工藝成本等,分析了不同工藝技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn),重點(diǎn)探討了工藝的實(shí)現(xiàn)方式。對(duì)RB-IGBT的發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了分析和預(yù)測(cè),認(rèn)為混合隔離技術(shù)和漂移區(qū)的改進(jìn)將是下一代RB-IGBT的發(fā)展方向。
【作者單位】： 中國科學(xué)院中國科學(xué)院大學(xué);中國科學(xué)院微電子研究所 硅器件技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;江蘇物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心;
【關(guān)鍵詞】： 功率器件 逆阻型絕緣柵雙極型晶體管(RB-IGBT) 反向阻斷 隔離技術(shù) 終端 混合隔離
【基金】：國家重大科技專項(xiàng)資助項(xiàng)目(2013ZX02305-005-002) 國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51490681) 省院合作高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化專項(xiàng)資金項(xiàng)目(2016SYHZ0026)
【分類號(hào)】：TN322.8
【正文快照】： 2.江蘇物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心,江蘇無錫214135)0引言在電力電子系統(tǒng)中,傳統(tǒng)的交流變頻方式AC-DC-AC是一種典型的變換,這種變換方式需要用到大的直流電容儲(chǔ)能,從而使得電路系統(tǒng)的體積變大,十分笨拙,更為嚴(yán)重的問題是電容的壽命遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于其中的功率器件壽命。矩陣變換器[1]的提出成

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

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