本文關(guān)鍵詞：用于脈沖功率領(lǐng)域的碳化硅四層器件性能概述

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【摘要】：綜合論述了基于碳化硅(SiC)材料制備的四層器件在脈沖功率領(lǐng)域的應(yīng)用現(xiàn)狀或前景。調(diào)研了SiC超級(jí)門極可關(guān)斷晶閘管(super gate turn-off thyristor,SGTO)的研究進(jìn)展,總結(jié)了近年來獲得的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。實(shí)驗(yàn)研究了SiC發(fā)射極可關(guān)斷晶閘管(emitter turn-off thyristor,ETO)的開通過程。結(jié)果表明,開通dI/dt可以在一定條件下受控,以適應(yīng)脈沖功率或電力電子變換的不同需求,實(shí)驗(yàn)獲得最大功率密度為329kW·cm~(-2)。建立了SiC反向開關(guān)晶體管(reversely switched dynistor,RSD)二維數(shù)值模型,論證了開通原理的可行性,熱電耦合模型以SiC本征溫度為依據(jù)據(jù),SiC RSD的功率密度達(dá)MW·cm~(-2)量級(jí)。
【作者單位】： 華中科技大學(xué)光學(xué)與電子信息學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： SiC SGTO SiC ETO SiC RSD 碳化硅 脈沖功率
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51377069) 中國(guó)工程物理研究院脈沖功率科學(xué)與技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室基金項(xiàng)目(PPLF2013PZ02) 中國(guó)國(guó)家留學(xué)資金委資助項(xiàng)目(201308420123)
【分類號(hào)】：TN34
【正文快照】： 具有pnpn四層類晶閘管結(jié)構(gòu)的器件,由于漂移層的電導(dǎo)調(diào)制作用,可以在大電流和高電壓下工作,適合脈沖功率應(yīng)用。這類純雙極型器件具有高抗浪涌能力,相比單極型的功率MOSFET、混合型的絕緣柵雙極晶體管(insulated gate bipolar tran-sistor,IGBT)等功率器件具有更低的損耗和更堅(jiān)

【參考文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫 前2條

1 王海洋;何小平;周競(jìng)之;陳維青;郭帆;謝霖q，

本文編號(hào)：917589