本文關鍵詞：一種抗輻射高壓MOSFET驅動器的設計

  更多相關文章： 抗輻射加固 金屬氧化物半導體場效應管驅動器 高壓集成電路(IC) 雙極-互補金屬氧化物半導體-雙重擴散金屬氧化物半導體工藝

【摘要】：在航天和核物理技術中對抗輻射高壓功率電路的需求也越來越強烈。介紹了一種抗輻射高壓金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)驅動器的設計,該電路基于0.5μm雙極-互補金屬氧化物半導體-雙重擴散金屬氧化物半導體(BCD)工藝研制,采用特殊的線路結構,并通過版圖設計對閂鎖效應、場區(qū)和電參數(shù)進行抗輻射加固,抗總劑量輻射效應可達到300 krad(Si)。同時,該電路工作電壓可達40 V,兼容邏輯門電路(TTL)/互補金屬氧化物半導體(CMOS)輸入,輸出峰值電流1.5 A,可廣泛用于航天、核物理實驗裝備等功率驅動部位。
【作者單位】： 中國電子科技集團公司第24研究所;
【關鍵詞】： 抗輻射加固 金屬氧化物半導體場效應管驅動器 高壓集成電路(IC) 雙極-互補金屬氧化物半導體-雙重擴散金屬氧化物半導體工藝
【分類號】：TN386
【正文快照】： 屬氧化物半導體-雙重擴散金屬氧化物半導體工藝近年來,隨著空間技術和核物理技術的發(fā)展,各種電子設備已經(jīng)廣泛用于我國人造衛(wèi)星、運載火箭和核物理試驗裝備中。電子設備中的元器件不可避免地會處于空間輻射和核輻射等強輻射應用環(huán)境中,各種輻射效應會對元器件的性能產(chǎn)生不同的

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本文編號：908815