本文關(guān)鍵詞：一種抗輻射高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)

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【摘要】：在航天和核物理技術(shù)中對(duì)抗輻射高壓功率電路的需求也越來(lái)越強(qiáng)烈。介紹了一種抗輻射高壓金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì),該電路基于0.5μm雙極-互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體-雙重?cái)U(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(BCD)工藝研制,采用特殊的線路結(jié)構(gòu),并通過(guò)版圖設(shè)計(jì)對(duì)閂鎖效應(yīng)、場(chǎng)區(qū)和電參數(shù)進(jìn)行抗輻射加固,抗總劑量輻射效應(yīng)可達(dá)到300 krad(Si)。同時(shí),該電路工作電壓可達(dá)40 V,兼容邏輯門電路(TTL)/互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)輸入,輸出峰值電流1.5 A,可廣泛用于航天、核物理實(shí)驗(yàn)裝備等功率驅(qū)動(dòng)部位。
【作者單位】： 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第24研究所;
【關(guān)鍵詞】： 抗輻射加固 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)器 高壓集成電路(IC) 雙極-互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體-雙重?cái)U(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體工藝
【分類號(hào)】：TN386
【正文快照】： 屬氧化物半導(dǎo)體-雙重?cái)U(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體工藝近年來(lái),隨著空間技術(shù)和核物理技術(shù)的發(fā)展,各種電子設(shè)備已經(jīng)廣泛用于我國(guó)人造衛(wèi)星、運(yùn)載火箭和核物理試驗(yàn)裝備中。電子設(shè)備中的元器件不可避免地會(huì)處于空間輻射和核輻射等強(qiáng)輻射應(yīng)用環(huán)境中,各種輻射效應(yīng)會(huì)對(duì)元器件的性能產(chǎn)生不同的

【相似文獻(xiàn)】

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中國(guó)重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前5條

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中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前4條

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本文編號(hào)：908815