本文關鍵詞：高壓LED陣列電學特性的優(yōu)化方法的研究

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【摘要】：高壓LED制備工藝中,優(yōu)化電極參數是獲得均勻分布電流,改善電流輸運特性,提高器件出光效率的主要方法之一。改進不同隔離層制備工藝參數與電極參數,抽樣檢測樣品,對結果分析發(fā)現(xiàn),Cr/Au電極厚度分別達到500 nm/300 nm后,總體提高了高壓LED的電流輸運特性,減少了高壓LED漏電現(xiàn)象,增強了高壓LED的電學穩(wěn)定性,改善了金屬電極厚度對高壓LED的影響。通過二步法制備隔離層,改變LED工藝參數及隔離層傾角,制備出正向電壓約12 V的串聯(lián)高壓LED。
【作者單位】： 電子科技大學中山學院電子薄膜與集成器件國家重點實驗室中山分實驗室;北京工業(yè)大學北京光電子技術實驗室;
【關鍵詞】： 氮化鎵 電極參數 高壓LED 電流輸運特性 光輸出功率 電學特性
【基金】：國家支撐計劃項目(2011BAE01B14) 北京市教委基金項目(KM201210005004) 北京市15青年拔尖項目(311000543115501) 中山市科技計劃項目(2014A2FC305) 北京市教委項目(PXM2014_014204_500008) 電子薄膜與集成器件國家重點實驗室中山分室開放基金(412S0601)
【分類號】：TN312.8
【正文快照】： 0引言近年來,高亮氮化物LED已經成為新一代主要照明光源,廣泛應用到各領域中,如交通信號燈、全色顯示、液晶顯示等[1-2]。與傳統(tǒng)光源相比,Ga N基LED具有窄帶隙、機械穩(wěn)定性強,壽命長、發(fā)光效率高、耗電量小、發(fā)熱低、環(huán)保節(jié)能等優(yōu)點[3]。雖然Ga N基LED已經進入商業(yè)化生產階段,，

本文編號：906130