本文關(guān)鍵詞：銅化學(xué)機(jī)械平坦化過(guò)拋過(guò)程中平坦化效率的計(jì)算方法

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【摘要】：為了確保整個(gè)晶圓片上殘余銅的去除,精拋后的過(guò)拋步驟至關(guān)重要,然而在銅過(guò)拋過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生銅碟形坑和介質(zhì)蝕坑等問(wèn)題,去除殘余銅的同時(shí)控制銅碟形坑和介質(zhì)蝕坑是銅化學(xué)機(jī)械平坦化(CMP)研究的最重要的課題之一。為了解決這一問(wèn)題,提出了一種銅過(guò)拋化學(xué)機(jī)械平坦化過(guò)程中基于氧化反應(yīng)的平坦化效率計(jì)算方法。實(shí)驗(yàn)顯示該方法計(jì)算結(jié)果與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)一致。采用堿性銅精拋液對(duì)銅光片進(jìn)行拋光,獲得的數(shù)據(jù)顯示,增加過(guò)氧化氫濃度可以獲得較低的銅去除率以及幾乎為零的阻擋層去除速率。布線片CMP的結(jié)果表明,增加過(guò)氧化氫濃度可以獲得較小的碟形坑。對(duì)含有不同濃度過(guò)氧化氫的拋光液進(jìn)行電化學(xué)實(shí)驗(yàn)研究,研究結(jié)果表明在銅表面有鈍化層形成。綜上所述,該計(jì)算方法是計(jì)算過(guò)拋過(guò)程平坦化效率的適當(dāng)方法。
【作者單位】： 河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院;河北大學(xué)靜電研究所;
【關(guān)鍵詞】： 平坦化效率 堿性銅精拋液 過(guò)拋 過(guò)氧化氫 碟形坑 鈍化層
【基金】：河北省自然科學(xué)基金項(xiàng)目(E2014202147) 河北省青年自然科學(xué)基金項(xiàng)目(F2015202267)資助
【分類(lèi)號(hào)】：TN305.2
【正文快照】： 化學(xué)機(jī)械平坦化(CMP)已成為實(shí)現(xiàn)大體積半導(dǎo)體制造晶圓片表面局部和全局平坦化最有效的方法[1]。然而,傳統(tǒng)的銅/低k介質(zhì)集成電路CMP過(guò)程仍面臨著許多技術(shù)挑戰(zhàn),包括膜剝離、劃痕和脆弱薄膜的機(jī)械形變等[2]。銅布線片CMP過(guò)程中,為了確保整個(gè)晶圓片上殘余銅的完全去除而增加過(guò)拋過(guò)

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 郭東明,康仁科,蘇建修,金洙吉;超大規(guī)模集成電路制造中硅片平坦化技術(shù)的未來(lái)發(fā)展[J];機(jī)械工程學(xué)報(bào);2003年10期

2 邵建新;涂膠返腐法無(wú)機(jī)介質(zhì)表面平坦化工藝研究[J];半導(dǎo)體技術(shù);1993年05期

3 金井史幸,小池淳義;采用有機(jī)源的金屬層間膜的平坦化技術(shù)[J];微電子技術(shù);1994年04期

4 聞?dòng)老?超大規(guī)模集成電路的平坦化技術(shù)[J];電子工程師;2000年07期

5 歐益宏,張正t，

本文編號(hào)：898501