本文關(guān)鍵詞：功率MOSFET隔離驅(qū)動電路設(shè)計(jì)分析

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【摘要】：半導(dǎo)體開關(guān)管器件作為開關(guān)電源中的關(guān)鍵器件,其驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)是電源領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)之一,普通大功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)由于器件結(jié)構(gòu)不同,驅(qū)動要求和技術(shù)也不相同,小功率MOSFET的柵源極寄生電容一般為10~100 pF,而大功率MOSFET的柵源極寄生電容則可達(dá)1~10 nF,因此需較大的動態(tài)驅(qū)動功率。目前,對于MOSFET隔離驅(qū)動方式主要有光電耦合隔離和磁耦合隔離,一般以磁隔離為主要應(yīng)用方式,在傳統(tǒng)的MOSFET磁隔離驅(qū)動電路中,若占空比出現(xiàn)突變,其隔離輸出的低電平則會出現(xiàn)上揚(yáng)現(xiàn)象,導(dǎo)致開關(guān)管出現(xiàn)誤動作,嚴(yán)重可能導(dǎo)致MOSFET器件燒毀,給出載波隔離驅(qū)動方法和邊沿觸發(fā)隔離驅(qū)動方法,兩種方法都能克服低電平的上揚(yáng)問題,通過測試對比兩種驅(qū)動方式的優(yōu)缺點(diǎn)。
【作者單位】： 哈爾濱工業(yè)大學(xué);深圳航天科技創(chuàng)新研究院;哈爾濱工業(yè)大學(xué)深圳研究生院;
【關(guān)鍵詞】： 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 隔離驅(qū)動 邊沿觸發(fā)
【基金】：深圳市科技創(chuàng)新計(jì)劃項(xiàng)目(JCYJ201404251136-37530)~~
【分類號】：TN386
【正文快照】： l引言 功率MOSFET是高頻高效開關(guān)電源的關(guān)鍵S件,其快速開斷時(shí)將會對驅(qū)動電路的電壓和電流質(zhì)量產(chǎn)生較大影響⑴,它屬于電壓控制型器件,利用柵極電壓對柵源極寄生電容充放電以實(shí)現(xiàn)開關(guān)動作,其驅(qū)動性能直接影響電源效率⑵,隨著電力電子系統(tǒng)功庿提Q懾刂頻緶酚脛鞴β實(shí)緶芳湫杞，

本文編號：897762