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基于ZnO電子傳輸層的白光QDLED的研究

發(fā)布時(shí)間:2017-09-21 21:15

  本文關(guān)鍵詞:基于ZnO電子傳輸層的白光QDLED的研究


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【摘要】:采用溶膠凝膠法制備了ZnO納米膠體并用其作為電子傳輸層,采用全旋涂的方式制備了多層量子點(diǎn)(QD)白光發(fā)光二極管(LED)。器件結(jié)構(gòu)為ITO/TPD+PVK/量子點(diǎn)/遮擋層/ZnO/LiF/Al,其中發(fā)光層采用不同顏色量子點(diǎn)層之間添加阻擋層的結(jié)構(gòu),避免了各層量子點(diǎn)之間的互相干擾。介紹了量子點(diǎn)LED的研究進(jìn)展、典型結(jié)構(gòu)以及發(fā)光原理。分析了膠體ZnO電子傳輸層相比于傳統(tǒng)的傳輸層材料的優(yōu)勢。探討了ITO的處理方式及PVK與TPD的質(zhì)量比等工藝參數(shù)對器件性能的影響,研究結(jié)果顯示TPD和PVK的質(zhì)量比為5∶1時(shí),器件的發(fā)光特性最好。在此基礎(chǔ)上,進(jìn)一步利用濕法刻蝕使器件發(fā)光部分圖形化,實(shí)現(xiàn)了特定字母發(fā)光的效果。
【作者單位】: 天津工業(yè)大學(xué)電子與信息工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】白光 量子點(diǎn)(QD) 發(fā)光二極管(LED) ZnO 遮擋層 濕法刻蝕
【基金】:國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61575144)
【分類號】:TN383.1
【正文快照】: wet etching0引言發(fā)光二極管(light-emitting diode,LED)作為固體光源,是繼熱發(fā)光光源和氣體放電光源后的第三代光源,其突出優(yōu)勢在于低功耗、高效率和長壽命。商用的無機(jī)白光LED最主流的技術(shù)是利用藍(lán)光或紫光InGaN/GaN芯片激發(fā)黃色的熒光粉Y3Al5O12∶Ce3+(YAG∶Ce),混合得到白

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6 張欣;低壓高效OLED器件的制備與性能的研究[D];天津理工大學(xué);2015年



本文編號:896909

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