發(fā)布時間：2017-09-20 19:11

  本文關鍵詞：硅碳直接反應法制備超細β-SiC粉

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【摘要】：采用碳納米管(CNTs)為碳源,硅粉為硅源,通過煅燒,制備出了納米到亞微米級的超細碳化硅(SiC)粉體,研究了1 300℃、1 400℃、1 500℃三個不同的反應溫度對于SiC粉體粒度的影響,討論了SiC顆粒形成的反應機理.表征結果顯示,制備的粉體物相均為β-SiC,隨著反應溫度的升高,粉體粒徑增大.Nicomp多波形粒徑分布顯示,在1 300℃條件下制備的超細SiC粉體中96.4%的顆粒粒徑為95.9 nm.通過分析,推測超細SiC粉的形成機理為:反應物中存在的雜質鎳與硅粉在高溫下形成共熔液滴,碳納米管進入液滴反應生成SiC晶核,進而析出晶體,晶體在高溫條件下不斷長大,形成超細SiC粉.碳硅直接反應法相對簡單、成本低,適合大規(guī)模制備納米及亞微米級碳化硅粉體.
【作者單位】： 武漢工程大學材料科學與工程學院;
【關鍵詞】： 碳化硅 超細粉體 制備
【基金】：國家科技支撐計劃項目(2013BAB07B05) 湖北省自然科學基金項目(2014CFB788) 武漢工程大學科學研究基金(K201465)
【分類號】：TN304.24
【正文快照】： 1引言碳化硅(Si C)材料具有硬度高、高溫強度大、熱導率高、化學穩(wěn)定性好、熱膨脹系數小、絕緣性好和帶隙寬等優(yōu)良性能,不僅是制備工程材料、功能材料的基本原料,同時也是較理想的增強材料,因此被廣泛用于吸波材料、金屬氧化物基復合材料和金屬基復合材料等領域[1-3].而作為制

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本文編號：889884