本文關(guān)鍵詞：硅碳直接反應(yīng)法制備超細(xì)β-SiC粉

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【摘要】：采用碳納米管(CNTs)為碳源,硅粉為硅源,通過煅燒,制備出了納米到亞微米級(jí)的超細(xì)碳化硅(SiC)粉體,研究了1 300℃、1 400℃、1 500℃三個(gè)不同的反應(yīng)溫度對(duì)于SiC粉體粒度的影響,討論了SiC顆粒形成的反應(yīng)機(jī)理.表征結(jié)果顯示,制備的粉體物相均為β-SiC,隨著反應(yīng)溫度的升高,粉體粒徑增大.Nicomp多波形粒徑分布顯示,在1 300℃條件下制備的超細(xì)SiC粉體中96.4%的顆粒粒徑為95.9 nm.通過分析,推測(cè)超細(xì)SiC粉的形成機(jī)理為:反應(yīng)物中存在的雜質(zhì)鎳與硅粉在高溫下形成共熔液滴,碳納米管進(jìn)入液滴反應(yīng)生成SiC晶核,進(jìn)而析出晶體,晶體在高溫條件下不斷長大,形成超細(xì)SiC粉.碳硅直接反應(yīng)法相對(duì)簡單、成本低,適合大規(guī)模制備納米及亞微米級(jí)碳化硅粉體.
【作者單位】： 武漢工程大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 碳化硅 超細(xì)粉體 制備
【基金】：國家科技支撐計(jì)劃項(xiàng)目(2013BAB07B05) 湖北省自然科學(xué)基金項(xiàng)目(2014CFB788) 武漢工程大學(xué)科學(xué)研究基金(K201465)
【分類號(hào)】：TN304.24
【正文快照】： 1引言碳化硅(Si C)材料具有硬度高、高溫強(qiáng)度大、熱導(dǎo)率高、化學(xué)穩(wěn)定性好、熱膨脹系數(shù)小、絕緣性好和帶隙寬等優(yōu)良性能,不僅是制備工程材料、功能材料的基本原料,同時(shí)也是較理想的增強(qiáng)材料,因此被廣泛用于吸波材料、金屬氧化物基復(fù)合材料和金屬基復(fù)合材料等領(lǐng)域[1-3].而作為制

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