本文關(guān)鍵詞：不同沉積層的納米波導(dǎo)諧振腔特性測試

  更多相關(guān)文章： 光電器件 片上系統(tǒng) 納米光波導(dǎo) 微環(huán)諧振腔

【摘要】：為確定硅基片上系統(tǒng)半導(dǎo)體光電器件集成中絕緣層材料對器件整體性能的影響,設(shè)計(jì)并制備了帶有覆層的納米波導(dǎo)諧振腔.諧振透射譜功率測試表明頂層覆蓋Si_3N_4薄膜和SiO_2薄膜絕緣層沒有削弱環(huán)形諧振腔的品質(zhì)因素,沉積后的最佳耦合間距為70~110 nm.覆層為SiO_2時(shí)諧振點(diǎn)波長附近的諧振峰消光比達(dá)16.5 dB,3 dB帶寬為0.12 nm;覆層為Si_3N_4時(shí)諧振點(diǎn)波長附近的諧振峰消光比達(dá)13.9 dB,3 dB帶寬為0.18 nm.該研究為片上系統(tǒng)集成設(shè)計(jì)中最佳絕緣層材料的選擇提供參考.
【作者單位】： 中北大學(xué)(朔州校區(qū));中北大學(xué)儀器科學(xué)與動態(tài)測試教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 光電器件 片上系統(tǒng) 納米光波導(dǎo) 微環(huán)諧振腔
【基金】：山西省青年基金項(xiàng)目(No.2015021095) 國家自然科學(xué)基金(No.61127008)資助~~
【分類號】：TN25
【正文快照】： 25,1^S. 隨著物聯(lián)網(wǎng)國家發(fā)展戰(zhàn)略概念的提出,以及各種新型技術(shù)產(chǎn)業(yè)的需求與應(yīng)用,高度集成芯片技術(shù)、高速帶寬傳輸?shù)男畔⑤d體、云存儲和云計(jì)算等技術(shù)推動了物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的迅速崛起[12],其中,光電集成器件作為未來物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展中感知層部件的關(guān)鍵起到了至關(guān)重要的作用[3].而硅

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