本文關鍵詞：銅膜碘化法制備p型CuI薄膜及其用作空穴傳輸層的反型鈣鈦礦電池性能

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【摘要】：γ相碘化亞銅(γ-Cu I)是一種帶隙為3.1 e V的p型半導體材料,適合應用于發(fā)光二極管和太陽能電池等光電子器件。本研究利用簡單的銅膜碘化法制備了Cu I薄膜,探究了碘化時間、溫度及銅/碘比等生長條件對其透明導電性能的影響。在最優(yōu)碘化時間(30 min)和碘化溫度(120℃)下,制備出了高透過率(可見光范圍75%)、導電性能好(電阻率4.4×10-2?·cm)的Cu I薄膜。利用Cu I薄膜作為空穴傳輸層,組裝了Cu I/CH3NH3Pb I3/PCBM反型平面鈣鈦礦電池,獲得的最高光電轉(zhuǎn)換效率為8.35%,討論了Cu I薄膜透明導電性能對鈣鈦礦電池光電轉(zhuǎn)換效率的影響機理。
【作者單位】： 山東大學材料科學與工程學院;濟南大學材料科學與工程學院;
【關鍵詞】： 碘化亞銅 銅膜碘化法 透明導電 反型鈣鈦礦太陽能電池
【基金】：國家自然科學基金(51472110) 山東省自然科學基金(JQ201214;2014ZRB01A47)~~
【分類號】：TM914.4;TN304
【正文快照】： National Natural Science Foundation of China(51472110);Shandong Provincial Natural Science Foundation(JQ201214,2014ZRB01A47)碘化亞銅(Cu I)是一種典型的鹵化物半導體,有α、β、γ三種晶相[1-2]:當溫度低于350℃時,為閃鋅礦結(jié)構的γ相(γ-Cu I);溫度在350~400℃之間

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1 韓靜;CuI在染料敏化太陽能電池中的應用[D];北京化工大學;2008年

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本文編號：851619