本文關(guān)鍵詞：一種pin結(jié)構(gòu)光電器件的研究

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【摘要】：pin器件在整流和探測領(lǐng)域都有著重要的潛在應(yīng)用價值。為了提高器件伏安和光電探測性能,提出了一種新型的p-硅/i-氧化鋁/n-摻鋁氧化鋅(AZO)結(jié)構(gòu)器件,并利用原子層沉積技術(shù)(ALD)在低溫下實現(xiàn)了器件制備。分析了器件的伏安特性,結(jié)果顯示相比傳統(tǒng)的pn結(jié)構(gòu)器件,新結(jié)構(gòu)在無光條件下實現(xiàn)了152的整流比。通過增加i層的沉積厚度,可以有效抑制遂穿效應(yīng),減小暗電流,提高光電檢測的靈敏度,實現(xiàn)了比傳統(tǒng)材料更高的光生電流靈敏度。
【作者單位】： 上海理工大學(xué)光電信息與計算機工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： pin結(jié)構(gòu) 原子層沉積(ALD) 整流比 遂穿效應(yīng)
【基金】：國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃(2015CB352001)
【分類號】：TN15
【正文快照】： 引言隨著微電子學(xué)的發(fā)展,半導(dǎo)體光電器件如太陽能電池、LED、光探測器在軍事、安檢、民生等方面的應(yīng)用越來越受到重視。這些器件有多種不同的結(jié)構(gòu),而p-i-n結(jié)對于半導(dǎo)體整流和光電探測來說是一種十分有效的結(jié)構(gòu),因其具有抑制暗電流的優(yōu)勢[1]。作為窗口層,寬禁帶的透明薄膜十分，

本文編號：838462